[发明专利]Bi2223氧化物超导体及其制造方法无效
| 申请号： | 201080039818.4 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102482112A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 畳谷和晃;绫井直树;下山淳一 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C01G1/00 | 分类号： | C01G1/00;C01G29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bi2223 氧化物 超导体 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Bi2223氧化物超导体，其由Bi、Pb、Sr、Ln、Ca、Cu和O构成，
其中所述Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种；且
所述Sr与所述Ln的组成比为以下组成比：
Sr∶Ln＝(1-x)∶x (其中0.002≤x≤0.015)。
2.一种制造根据权利要求1的Bi2223氧化物超导体的方法，所述方法包括：
使含有构成所述Bi2223氧化物超导体的元素的材料在溶液中离子化的步骤；和
通过将所述溶液喷射到高温气氛中来除去溶剂并引起热分解反应，从而制造含有构成所述氧化物超导体的原子的粉末的步骤。
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