[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法、半导体生长用基板、半导体生长用基板的制造方法、半导体元件、发光元件、显示面板、电子元件、太阳能电池元件及电子设备

权利要求书

1.一种半导体基板，其具备表面具有石墨层的基板和半导体层，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述半导体层设置于所述石墨层的表面上、以该石墨层的表面作为生长面。

2.一种半导体基板，其具备表面具有石墨层的基板、缓冲层和半导体层，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成，所述缓冲层设置于所述石墨层的表面上、以所述石墨层的表面作为生长面，所述半导体层设置于所述缓冲层上、以所述缓冲层的表面作为生长面。

3.根据权利要求2所述的半导体基板，其中，所述缓冲层包含HfN、ZrN及AlN中的至少1个。

4.根据权利要求2或3所述的半导体基板，其中，所述缓冲层形成为多层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体基板，其中，所述半导体层由包含硅或13族氮化物的半导体形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体基板，其中，所述石墨层在表面具有(0001)面，

所述半导体层设置于所述(0001)面上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体基板，其中，所述基板具有包含与所述杂环高分子不同的有机化合物的基材，以及

设置于所述基材上的所述石墨层。

8.一种半导体基板的制造方法，使半导体层生长于在表面具有石墨层的基板中所述石墨层的表面上，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成。

9.一种半导体基板的制造方法，使缓冲层生长于在表面具有石墨层的基板中所述石墨层的表面上，使半导体层生长于所述缓冲层的表面上，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成。

10.根据权利要求9所述的半导体基板的制造方法，其中，作为所述缓冲层，使包含HfN、ZrN及AlN中的至少1个的层生长。

11.根据权利要求9或10所述的半导体基板的制造方法，其中，所述缓冲层形成为多层。

12.根据权利要求8～11中任一项所述的半导体基板的制造方法，其中，作为所述半导体层，使包含硅或13族氮化物的半导体层生长。

13.根据权利要求8～12中任一项所述的半导体基板的制造方法，其中所述石墨层在表面具有(0001)面，

使所述半导体层生长于所述(0001)面上。

14.根据权利要求8～13中任一项所述的半导体基板的制造方法，其通过在基材上形成所述石墨层而得到所述基板，所述基材由与所述杂环高分子不同的有机化合物形成。

15.根据权利要求14所述的半导体基板的制造方法，其通过溶解所述杂环高分子，

在所述基材上涂布所述杂环高分子的溶解液而形成溶解液的薄膜，

对所述薄膜及所述基材以2000℃～3000℃进行加热处理而得到所述基板。

16.根据权利要求8～13中任一项所述的半导体基板的制造方法，其通过在规定的自支撑基材上形成所述杂环高分子的层，将所形成的所述杂环高分子的层从所述自支撑基材上分离而得到所述石墨层。

17.根据权利要求8～16中任一项所述的半导体基板的制造方法，其中，所述石墨层按照具有与生长于该石墨层的表面上的生长物的热膨胀系数相对应的热膨胀系数的方式形成。

18.一种半导体生长用基板，其在表面具有石墨层，所述石墨层由芳香族系四羧酸与芳香族系四胺缩合而得到的杂环高分子形成。

19.根据权利要求18所述的半导体生长用基板，其中，所述石墨层在表面具有(0001)面。

20.根据权利要求18或19所述的半导体生长用基板，其在基材上形成有所述石墨层，所述基材由与所述杂环高分子不同的有机化合物形成。