[发明专利]图案化磁性位元数据储存媒体及其制造方法有效
申请号: | 201080039843.2 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102483929A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 法兰克·辛克莱;维克拉姆·辛 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | G11B5/012 | 分类号: | G11B5/012 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 磁性 位元 数据 储存 媒体 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于储存数据的磁性媒体,其包括:
主动区域,其展现实质上铁磁性;以及
非主动区域,其展现实质上顺磁性,所述非主动区域包括至少两个晶粒以及一插入于其间的晶界,其中所述至少两个晶粒中的每一者含有铁磁材料,且其中所述至少两个晶粒经反铁磁耦合。
2.根据权利要求1所述的用于储存数据的磁性媒体,其中所述至少两个晶粒之间的所述反铁磁耦合由沿着所述晶界配置的材料产生。
3.根据权利要求2所述的用于储存数据的磁性媒体,其中沿着所述晶界配置的所述材料含有氧。
4.根据权利要求2所述的用于储存数据的磁性媒体,其中沿着所述晶界配置的所述材料包括在所述至少两个晶粒中的至少一者中含有的所述铁磁材料的氧化物。
5.根据权利要求2所述的用于储存数据的磁性媒体,其中沿着所述晶界配置的所述材料含有C、Si、Ge、Sn、Pb、O、S、Se、Te以及Po中的至少一者。
6.根据权利要求1所述的用于储存数据的磁性媒体,其中所述非主动区域中的所述至少两个晶粒的磁矩处于非平行定向上。
7.根据权利要求5所述的用于储存数据的磁性媒体,其中所述非主动区域中的所述至少两个晶粒的磁矩处于实质上逆平行定向上。
8.一种形成磁性媒体的方法,所述磁性媒体包括主动区域以及非主动区域,所述方法包括:
沿着所述非主动区域的晶界引入非铁磁材料,所述晶界插入于所述非主动区域的至少两个邻近晶粒之间,所述至少两个邻近晶粒中的每一者含有铁磁材料;以及
使沿着所述晶界配置的所述非铁磁材料与在所述至少两个邻近晶粒中的至少一者中含有的铁磁材料反应。
9.根据权利要求8所述的形成磁性媒体的方法,还包括:
在非平行定向上定向所述至少两个邻近晶粒的磁矩。
10.根据权利要求8所述的形成磁性媒体的方法,还包括:在逆平行定向上定向所述至少两个邻近晶粒的磁矩。
11.根据权利要求8所述的形成磁性媒体的方法,其中将所述非主动区域中的所述至少两个邻近晶粒反铁磁耦合。
12.根据权利要求8所述的形成磁性媒体的方法,其中所述引入非铁磁材料包括在所述晶界附近植入含氧离子。
13.根据权利要求12所述的形成磁性媒体的方法,还包括:
在所述磁性媒体的上游配置遮罩,所述遮罩包括暴露所述非主动区域的至少一孔隙。
14.根据权利要求13所述的形成磁性媒体的方法,还包括:
热处理所述非主动区域以沿着所述晶界实质上均匀地分布氧。
15.根据权利要求8所述的形成磁性媒体的方法,其中所述引入非铁磁材料包括使用扩散工艺引入非铁磁材料。
16.一种形成磁性媒体的方法,所述磁性媒体包括主动区域以及非主动区域,所述方法包括:
沿着所述非主动区域的晶界引入非铁磁材料,所述晶界插入于所述非主动区域的至少两个邻近晶粒之间,所述至少两个邻近晶粒包括铁磁材料;以及
反铁磁耦合所述至少两个邻近晶粒,使得在非平行定向上定向所述至少两个晶粒的磁矩。
17.根据权利要求16所述的形成磁性媒体的方法,其中所述至少两个晶粒的所述磁矩处于实质上逆平行定向上。
18.根据权利要求16所述的形成磁性媒体的方法,其中所述引入非铁磁材料包括沿着所述晶界植入含氧离子。
19.根据权利要求16所述的形成磁性媒体的方法,其中所述引入非铁磁材料包括沿着所述晶界引入含有C、Si、Ge、Sn、Pb、O、S、Se、Te以及Po中的至少一者的物种。
20.根据权利要求16所述的形成磁性媒体的方法,还包括:
在所述磁性媒体的上游配置遮罩,所述遮罩包括暴露所述非主动区域的至少一孔隙。
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