[发明专利]无源高频镜像抑制混频器的操作方法

权利要求书

1.一种用于操作无源镜像抑制混频器(IRM)的方法，所述方法包括以下步骤：

向第一MOS乘法器提供射频输入信号RF+和RF-；

向所述第一MOS乘法器提供本地振荡器输入信号LO+和LO-；

响应于提供给所述第一MOS乘法器的所述射频输入信号RF+和RF-以及所述本地振荡器输入信号LO+和LO-，产生中频输出信号I IF+和I IF-；

利用无源移相器，从所述本地振荡器输入信号LO+和LO-分别产生LO+相移90°输出信号和LO-相移90°输出信号；

向第二MOS乘法器提供所述射频输入信号RF+和RF-；

向所述第二MOS乘法器提供所述LO+相移90°输出信号和所述LO-相移90°输出信号；

响应于提供给所述第二MOS乘法器的所述射频输入信号RF+和RF-以及所述LO+相移90°输出信号和所述LO-相移90°输出信号，产生IF输出信号Q IF+和Q IF-；

响应于所述射频是大于还是小于所述本地振荡器的频率的判断以及还响应于所述输出信号I IF+和所述输出信号Q IF+，产生输出信号IF+；以及

响应于所述射频是大于还是小于所述本地振荡器的频率的判断以及还响应于所述输出信号I IF-和所述输出信号Q IF-，产生输出信号IF-。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

使所述第一MOS乘法器和所述第二MOS乘法器在深三极管区中工作。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述IF频率在1GHz以上。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

提供在5GHz以上的RF频率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述产生输出信号IF+和IF-的步骤包括使第一集总元件混合器和第二集总元件混合器以通信方式连接到所述第一MOS乘法器和所述第二MOS乘法器。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述集总元件混合器包括：

第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入I的第一端；

第二电容器，所述第二电容器具有连接到所述集总元件混合器的输入Q的第一端；

第三电容器，所述第三电容器具有连接到所述集总元件混合器的二至一开关的第一输入的第一端；

第四电容器，所述第四电容器具有连接到所述集总元件混合器的所述二至一开关的第二输入的第一端；

第一电感器，所述第一电感器连接在所述输入I和所述二至一开关的所述第一输入之间；

第二电感器，所述第二电感器连接在所述输入Q和所述二至一开关的所述第二输入之间；

第三电感器，所述第三电感器连接在所述输入I和所述输入Q之间；

第四电感器，所述第四电感器连接在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间；以及

所述二至一开关连接到所述集总元件混合器的IF输出端，且能够响应于对所述射频大于还是小于所述本地振荡器的频率作的所述判断，在所述二至一开关的所述第一输入和所述二至一开关的所述第二输入之间进行选择。

7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

当所述射频大于所述本地振荡器频率时，将所述二至一开关切换到第一位置。

8.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

当所述射频大于所述本地振荡器频率时，将所述二至一开关切换到第二位置。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器能够被调谐以提供可变电容，从而调谐所述集总元件混合器。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

调谐所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器中的至少一个电容器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述调谐在1皮法到6皮法的范围中进行。