[发明专利]呋喃衍生物和电子照相光电导体有效
| 申请号： | 201080040016.5 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102482245A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李洪国;永井一清;铃木哲郎;田中裕二 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C07D307/42 | 分类号： | C07D307/42;G03G5/00;G03G5/047;G03G5/05;G03G5/06;G03G5/14;G03G5/147 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 呋喃 衍生物 电子 照相 光电 导体 | ||
1.由以下通式(1)表示的呋喃衍生物：
其中，Ar1和Ar2每一个独立地表示可具有取代基的芳基基团，并且R1表示C1-C6亚烷基基团。
2.根据权利要求1所述的呋喃衍生物，其中所述呋喃衍生物由以下通式(2)表示：
其中，R1表示C1-C6亚烷基基团，R2到R11每一个独立地表示可具有取代基的C1-C6烷基基团、可具有取代基的C1-C6烷氧基基团或可具有取代基的芳基基团。
3.根据权利要求1和2之一所述的呋喃衍生物，其中所述呋喃衍生物由以下通式(3)表示：
其中，R2到R11每一个独立地表示可具有取代基的C1-C6烷基基团、可具有取代基的C1-C6烷氧基基团或可具有取代基的芳基基团。
4.电子照相光电导体，包含：
通过第尔斯-阿尔德反应而三维交联的结构；
传导载体，和
含有一个或多个层的光敏层，
至少所述光敏层被提供在所述传导载体上。
5.根据权利要求4所述的电子照相光电导体，其中所述一个或多个层是电荷产生层和电荷输送层，其中至少底层、所述电荷产生层和所述电荷输送层以该顺序被层压在所述传导载体上，和其中所述电荷输送层包含所述通过第尔斯-阿尔德反应而三维交联的结构。
6.根据权利要求4所述的电子照相光电导体，其中所述一个或多个层是电荷产生层和电荷输送层，其中至少底层、所述电荷产生层、所述电荷输送层和保护层以该顺序被层压在所述传导载体上，并且其中所述保护层包含所述通过第尔斯-阿尔德反应而三维交联的结构。
7.根据权利要求4到6任意之一所述的电子照相光电导体，其中所述通过第尔斯-阿尔德反应而三维交联的结构通过充当二烯的呋喃衍生物与充当亲双烯体的马来酰亚胺衍生物之间的第尔斯-阿尔德反应而形成。
8.根据权利要求7所述的电子照相光电导体，其中所述呋喃衍生物包含三芳基胺部分结构。
9.根据权利要求7和8之一所述的电子照相光电导体，其中所述呋喃衍生物由以下通式(1)表示：
其中，Ar1和Ar2每一个独立地表示可具有取代基的芳基基团，并且R1表示C1-C6亚烷基基团。
10.根据权利要求7到9任意之一所述的电子照相光电导体，其中所述呋喃衍生物由以下通式(2)表示：
其中，R1表示C1-C6亚烷基基团，R2到R11每一个独立地表示可具有取代基的C1-C6烷基基团、可具有取代基的C1-C6烷氧基基团或可具有取代基的芳基基团。
11.根据权利要求7到10任意之一所述的电子照相光电导体，其中所述呋喃衍生物由以下通式(3)表示：
其中，R2到R11每一个独立地表示可具有取代基的C1-C6烷基基团、可具有取代基的C1-C6烷氧基基团或可具有取代基的芳基基团。
12.根据权利要求7到11任意之一所述的电子照相光电导体，其中所述马来酰亚胺衍生物包含三个或多个马来酰亚胺官能团。
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