[发明专利]含过渡金属化合物的纳米粒子及其制造方法、空穴注入传输层用油墨以及具有空穴注入传输层的器件及其制造方法有效
申请号: | 201080040121.9 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102484210A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 上野滋弘;田口洋介;下河原匡哉 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;B82B1/00;B82B3/00;C01B31/34;C09K11/06;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过渡 金属 化合物 纳米 粒子 及其 制造 方法 空穴 注入 传输 油墨 以及 具有 器件 | ||
1.一种含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,通过连接基,使具有疏水性的有机基的保护剂与过渡金属化合物连接而成,该过渡金属化合物包含选自过渡金属碳化氧化物、过渡金属氮化氧化物和过渡金属硫化氧化物中的1种以上。
2.如权利要求1所述的含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,所述过渡金属化合物的过渡金属是选自钼、钨、钒和铼中的1种以上的金属。
3.如权利要求1或2所述的含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,平均粒径为0.5~20nm。
4.如权利要求1~3中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,所述有机基是芳香族烃和/或杂环。
5.如权利要求1~4中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,所述保护剂还具有电荷传输性基。
6.如权利要求1~5中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子,其特征在于,所述连接基是选自下述通式(1-a)~(1-n)所示的官能团中的1种以上,
[化1]
式中,Z1、Z2和Z3各自独立地表示卤原子或烷氧基。
7.一种含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,包括:
(A)将过渡金属和/或过渡金属络合物碳化,制成过渡金属碳化物的工序;
(B)将(A)工序中得到的过渡金属碳化物通过保护剂进行保护的工序,该保护剂具有疏水性的有机基;和
(C)将(B)工序中得到的具有有机基的过渡金属碳化物氧化,制成具有有机基的过渡金属碳化氧化物的工序。
8.一种含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,包括:
(a)将过渡金属和/或过渡金属络合物通过保护剂进行保护的工序,该保护剂具有疏水性的有机基;
(b)将(a)工序中得到的具有有机基的过渡金属或过渡金属络合物碳化,制成具有有机基的过渡金属碳化物的工序;和
(c)将(b)工序中得到的具有有机基的过渡金属碳化物氧化,制成具有有机基的过渡金属碳化氧化物的工序。
9.一种含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,包括:
(α)将过渡金属和/或过渡金属络合物碳化,制成过渡金属碳化物的工序;
(β)将(α)工序中得到的过渡金属碳化物氧化,制成过渡金属碳化氧化物的工序;和
(γ)将(β)工序中得到的过渡金属碳化氧化物通过保护剂进行保护的工序,制成具有有机基的过渡金属碳化氧化物的工序,所述保护剂具有疏水性的有机基。
10.如权利要求7~9中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,在沸点为200℃以上的有机溶剂的存在下进行所述通过保护剂进行保护的工序。
11.如权利要求7~10中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,在200~400℃条件下进行所述制成过渡金属碳化物的工序。
12.如权利要求7~11中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子的制造方法,其特征在于,在氩气环境下进行制成所述过渡金属碳化物的工序。
13.一种空穴注入传输层用油墨,其特征在于,含有所述权利要求1~6中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子和有机溶剂。
14.一种空穴注入传输层用油墨,其特征在于,含有选自过渡金属碳化物、过渡金属氮化物和过渡金属硫化物中的1种以上的化合物(C)、保护剂以及有机溶剂,该保护剂具有连接基和疏水性的有机基。
15.一种器件,是具有在基板上对向的2个以上的电极和在其中的2个电极间配置的空穴注入传输层的器件,其特征在于,所述空穴注入传输层至少含有权利要求1~6中任一项所述的含过渡金属化合物的纳米粒子。
16.如权利要求15所述的器件,其特征在于,所述空穴注入传输层含有含过渡金属化合物的纳米粒子,该含过渡金属化合物的纳米粒子所含的过渡金属为彼此不同的2种以上的过渡金属。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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