[发明专利]磷光体转换发光二极管装置无效
申请号: | 201080040235.3 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN102576793A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | M.M.布特沃思 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 谢建云;刘鹏 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磷光体 转换 发光二极管 装置 | ||
1.一种装置,包括:
发光二极管,其能够发射至少一个具有第一峰值波长的第一光;
磷光体层,其覆盖该发光二极管并且能够吸收该第一光以及发射至少一个具有第二峰值波长的第二光;以及
其中该磷光体层包括孔洞模式,该孔洞模式置为允许该第一峰值波长通过该孔洞出射而不被该磷光体层吸收,并且其中该孔洞布置成与该第二峰值波长相比,有利于更多的该第一峰值波长在该孔洞的区域处从该磷光体出射。
2.权利要求1的装置,其中该磷光体包括结合在环氧树脂中的磷光体粉末。
3.权利要求1的装置,其中该磷光体包括在浆料中与硅组合的磷光体粉末。
4.权利要求1的装置,其中该磷光体包括静态耦合到该发光二极管的磷光体颗粒。
5.权利要求1的装置,其中该磷光体为磷光体陶瓷板。
6.权利要求1的装置,其中该孔洞使用激光器生成。
7.权利要求1的装置,其中该孔洞通过钻孔生成。
8.权利要求1的装置,其中该孔洞在成型期间生成。
9.权利要求1的装置,其中该模式包括与在该发光二极管的中心相比沿着该发光二极管的侧面的更多孔洞。
10.权利要求1的装置,其中该磷光体在该发光二极管的中心更厚,并且该模式包括与沿着该发光二极管的侧面相比在该发光二极管的中心的更多孔洞。
11.权利要求1的装置,其中该孔洞包括直径,并且该直径取决于在具体区域中期望的第一光的数量而改变。
12.权利要求1的装置,其中该孔洞的策略布置由分光光度计的结果确定。
13.权利要求1的装置,其中该孔洞的策略布置由色度计的结果确定。
14.权利要求1的装置,其中该孔洞的策略布置由光输出的照片确定。
15.一种装置包括:
发光二极管,其能够发射至少一个具有第一峰值波长的第一光;
磷光体层,其覆盖发该光二极管并且能够吸收该第一光以及发射至少一个具有第二峰值波长的第二光;以及
其中该磷光体层包括孔洞模式以允许具有第一峰值波长的该第一光通过该孔洞出射而不被该磷光体层吸收,并且其中该孔洞具有直径以及该孔洞的直径和布置被布置和大小调整为增加通过该孔洞从该磷光体出射的具有第一峰值波长的该第一光的数量。
16.一种方法,包括:
分析从发光二极管发射的光的颜色,该发光二极管包括磷光体,该磷光体能够i)从该发光二极管吸收具有第一波长的第一光,以及ii)发射至少一个具有第二峰值波长的第二光;
根据分析步骤计算跨过至少一部分该磷光体从该磷光体出射的该第一光和第二光的数量;
在该磷光体中布置孔洞,从而通过允许光通过该孔洞而不被该磷光体吸收,增加从该磷光体出射的具有第一波长的第一光的数量。
17.依据权利要求16的方法,其中该孔洞具有根据计算步骤的结果而改变的直径。
18.依据权利要求16的方法,其中该分析步骤包括使用分光光度计测量跨过该发光二极管的光输出。
19.依据权利要求16的方法,其中该分析步骤包括使用色度计测量跨过该发光二极管的光的x-y-z坐标。
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