[发明专利]半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括：

准备隔片形成用膜的工序，其中，所述隔片形成用膜具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有感光性的隔片形成层；

将所述隔片形成层粘贴于半导体晶片的一侧面上的工序；

通过对所述隔片形成层进行曝光、显影而进行图案化，从而形成隔片，并且去除所述支承基材的工序；以及

在所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分，以被包含于该部分内侧的方式，接合透明基板的工序。

2.如权利要求1所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，以使所述隔片形成层的外周边位于所述支承基材的外周边的外侧的状态，将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片上。

3.如权利要求2所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序之前，具有在使所述支承基材吸附于具有挤压面的挤压部件的所述挤压面的状态下，沿着所述挤压面的外周边切割所述隔片形成用膜的工序。

4.如权利要求3所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，通过所述挤压面，将所述支承基材挤压在所述隔片形成层侧。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，将所述支承基材和所述隔片形成层形成为足够大，以在所述接合透明基板的工序中，能够使所述透明基板被包含于所述隔片的曾经与所述支承基材相接触的部分的内侧。

6.如权利要求5所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述半导体晶片在外周边的角部具有倒角部，并在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，以所述隔片形成层的外周边位于所述倒角部分上或者所述倒角部分附近的状态进行粘贴。

7.如权利要求5或6所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，所述隔片形成层的外周边与所述半导体晶片的外周边一致或者位于所述半导体晶片的外周边的外侧。

8.如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在将所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的工序中，所述隔片形成层的外周边位于所述半导体晶片的外周边的内侧。

9.如权利要求8所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述接合透明基板的工序中，所述透明基板的外周边位于所述隔片形成层的外周边的内侧。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光是在去除所述支承基材之前，通过所述支承基材对所述隔片形成层有选择地照射化学射线来进行。

11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的平均厚度为5～100μm。

12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层是由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。

13.如权利要求12所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。

14.如权利要求12或13所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。

15.一种半导体晶片接合体，其特征在于，通过权利要求1至14中任一项所述的方法来制造。

16.一种半导体装置，其特征在于，通过对权利要求15所述的半导体晶片接合体进行单片化来获得。