[发明专利]外延形成结构及制造固态照明装置的相关方法

权利要求书

1.一种用于制造固态照明SSL装置的方法，其包括：

将形成结构附接到复合结构，所述复合结构在一定温度范围内具有复合热膨胀系数CTE相依性；

减小附接到所述复合结构的所述形成结构的厚度；

在具有所述减小的厚度的所述形成结构上形成SSL结构，所述SSL结构在所述温度范围内具有SSL CTE温度相依性；且

其中所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的差低于目标阈值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述形成结构包含Si(1，1，1)硅晶片；

所述复合结构包含含有多晶氮化铝(AlN)的基础材料及含有以下各项中的至少一者的CTE控制材料：氮化硅(Si₃N₄)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧氮化铝(AlON)、碳化钛(TiC)、碳化锆(ZrC)、碳化铪(HfC)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y₂O₃)；

附接所述形成结构包含经由固-固接合将所述Si(1，1，1)硅晶片附接到所述复合结构；

减小所述形成结构的所述厚度包含将掺杂剂植入于所述形成结构中且在将所述形成结构附接到所述复合结构之后剥落所述掺杂剂；

所述形成结构的所述减小的厚度为约10纳米到约2微米；

形成所述SSL结构包含在具有所述减小的厚度的所述形成结构上形成第一半导体材料、有源区域及第二半导体材料；

所述第一半导体材料含有N型氮化镓(GaN)；

所述第二半导体材料含有P型GaN；

所述有源区域包含块体氮化铟镓(InGaN)、InGaN单量子阱及GaN/InGaN多量子阱中的至少一者；

所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的所述差在所述整个温度范围内低于目标阈值；且

所述目标阈值介于约1ppm/℃与3ppm/℃之间。

2、根据权利要求1所述的方法，其中所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的所述差在所述整个温度范围内低于所述目标阈值。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的所述差在所述整个温度范围内介于约1ppm/℃与3ppm/℃之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的积分差在所述整个温度范围内低于所述目标阈值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述复合结构包含含有多晶氮化铝(AlN)的基础材料及含有以下各项中的至少一者的CTE控制材料：氮化硅(Si₃N₄)、氮化钛(TiN)、氮化锆(ZrN)、氮化铪(HfN)、氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧氮化铝(AlON)、碳化钛(TiC)、碳化锆(ZrC)、碳化铪(HfC)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y₂O₃)；且

所述基础材料与所述CTE控制材料具有使得所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的所述差低于所述目标阈值的体积比。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述复合结构包含含有多晶氮化铝(AlN)的基础材料及含有氧化钇(Y₂O₃)的CTE控制材料；且

所述基础材料与所述CTE控制材料的体积比介于约0.75到约0.95之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述复合结构包含基础材料及CTE控制材料；且

所述基础材料与所述CTE控制材料具有使得所述复合CTE温度相依性与SSL CTE温度相依性之间的所述差低于所述目标阈值的体积比。