[发明专利]用于高密度互连倒装晶片的底部填充料有效
申请号: | 201080040639.2 | 申请日: | 2010-09-14 |
公开(公告)号: | CN102712740A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 帕维尔·丘巴洛;铃木理;佐藤敏行 | 申请(专利权)人: | 纳美仕有限公司 |
主分类号: | C08G59/30 | 分类号: | C08G59/30;C08G59/32;C08L63/00;H01L23/29;C08J5/00;C08K9/04;H01L21/26;H01L21/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王旭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高密度 互连 倒装 晶片 底部 填充 | ||
1.一种底部填充料组合物,所述底部填充料组合物包含以下组分(A)-(C):
(A)环氧树脂,
(B)固化剂,和
(C)具有至少一个环氧基的多面体低聚硅倍半氧烷,
其中以上组分(A)、(B)和(C)以重量计的量满足以下关系:
0.05≤(C)/((A)+(B)+(C))≤0.3。
2.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中所述组合物还包含(D)无机填料。
3.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中在所述组合物中以30重量%至70重量%的量包含所述组分(D)。
4.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中硬化后的底部填充料组合物具有由DMA测得的55℃至115℃范围内的Tg。
5.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中所述固化剂包含咪唑衍生物、芳族胺或羧酸酐。
6.根据权利要求5所述的底部填充料组合物,其中所述组合物还包含Tg调节剂。
7.根据权利要求6所述的底部填充料组合物,其中所述Tg调节剂包括反应性稀释剂。
8.根据权利要求6所述的底部填充料组合物,其中所述Tg调节剂是聚丙二醇二缩水甘油醚。
9.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中所述固化剂包括液体酚。
10.根据权利要求9所述的底部填充料组合物,其中所述液体酚是烯丙基酚醛清漆。
11.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中所述无机填料包括选自二氧化硅、氧化铝和氮化铝中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的底部填充料组合物,其中所述组合物还包含选自由以下各项组成的组中的至少一种:溶剂、熔剂、消泡剂、偶联剂、阻燃剂、固化促进剂、液体或颗粒弹性体以及表面活性剂。
13.一种底部填充料材料,所述底部填充料材料包含:
树脂,所述树脂用至少第一反应性基团官能化;
纳米填充材料,所述纳米填充材料用至少第二反应性基团官能化,所述第二反应性基团与所述树脂的所述第一反应性基团具有反应性。
14.根据权利要求13所述的底部填充料材料,其中至少用所述第一反应性基团官能化的所述树脂包括用反应性缩水甘油基官能化的硅氧烷。
15.根据权利要求14所述的底部填充料材料,其中用所述反应性缩水甘油基官能化的所述硅氧烷包括用所述缩水甘油基官能化的多面体低聚硅倍半氧烷。
16.根据权利要求14所述的底部填充料,其中用所述反应性缩水甘油基官能化的所述硅氧烷包括三(缩水甘油氧基丙基二甲基硅烷氧基)-苯基硅烷。
17.根据权利要求13所述的底部填充料材料,其中所述填充材料包括碳纳米管。
18.根据权利要求17所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是胺官能化的。
19.根据权利要求17所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是用氨基芘官能化的。
20.根据权利要求13所述的底部填充料材料,其中所述第一反应性基团包括环氧基。
21.根据权利要求17所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管具有小于5微米的平均长度。
22.根据权利要求21所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
23.根据权利要求21所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是多壁碳纳米管。
24.根据权利要求21所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是竹节型碳纳米管。
25.根据权利要求18所述的底部填充料材料,其中所述碳纳米管是具有小于5微米的平均长度并且用氨基芘官能化的单壁碳纳米管。
26.根据权利要求13所述的底部填充料材料,所述底部填充料材料还包含二氧化硅和硅烷偶联剂。
27.根据权利要求13所述的底部填充料材料,其中所述树脂还包含双酚F环氧树脂。
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