[发明专利]含金属-硅膜的脉冲化学气相沉积

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成含金属-硅膜的方法，所述方法包括：

在处理室中提供所述衬底；

将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属-硅膜的温度下；

将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及

在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述含金属气体从所述含硅气体的第一个脉冲之前的一段时间开始不中断地暴露于所述衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述含金属气体直到所述含硅气体的最后一个脉冲之后的一段时间不中断地暴露于所述衬底。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述含金属气体从所述含硅气体的第一个脉冲之前的一段时间开始到所述含硅气体的最后一个脉冲之后的一段时间不中断地暴露于所述衬底。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中增大。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中减小。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中增大，然后所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中减小。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中减小，然后所述含硅气体的气体流率在连续的多个脉冲中增大。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中增大。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中减小。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中增大，然后所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中减小。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中减小，然后所述含硅气体的脉冲持续时间在连续的多个脉冲中增大。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述含金属气体包含第II族前驱体、第III族前驱体或稀土金属前驱体、或其组合。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述含金属气体包括铪前驱体、锆前驱体、或铪前驱体和锆前驱体两者，并且所述含金属-硅膜包括硅酸铪膜、硅酸锆膜、或硅酸铪锆膜。