[发明专利]隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及隔片形成用膜、半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置。

背景技术

作为以CMOS图像传感器、CCD图像传感器等光接收装置为代表的半导体装置，已知包括：设置有光接收部的半导体基板；设置于半导体基板的光接收部侧并且以包围光接收部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板的半导体装置。

上述半导体装置的制造方法，通常包括下列工序：粘贴工序，在设置有多个光接收部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜(隔片形成层)；曝光工序，通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光；形成工序，对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片；接合工序，将透明基板接合于所形成的隔片上；以及切割工序，对通过接合半导体晶片与透明基板而成的接合体进行切割(例如，参照专利文献1)。

但是，对以往的相关方法而言，在曝光工序中，由于粘接膜的与半导体晶片相反侧的面处于露出状态，所以尘埃等杂质容易附着于粘接膜上，并且一旦杂质附着在粘接膜上，则难以去除。因此，存在着上述附着的杂质妨碍粘接膜的曝光，导致隔片的尺寸精度降低的问题。

并且，在曝光工序中，还存在掩模粘附于粘接膜上的问题。为了防止此类掩模的粘附，也考虑过加大粘接膜与掩模之间的距离，但若加大粘接膜与掩模的距离，则通过掩模照射在粘接膜上的曝光用光所形成的图像发生模糊的现象，导致曝光部分和未曝光部分的界线不清楚，或者导致上述界线的位置精度降低。因此，难于以充分的尺寸精度形成隔片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-91399号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供一种隔片形成用膜和半导体晶片接合体的制造方法，以及提供一种可靠性优良的半导体晶片接合体和半导体装置，其中，根据所述隔片形成用膜，能够制造出半导体晶片与透明基板通过尺寸精度优良的隔片进行接合而成的半导体晶片接合体。

本发明的上述目的可通过下列(1)～(18)中所记载的技术方案来实现。

(1)一种隔片形成用膜，具有片状支承基材和隔片形成层，所述隔片形成层设置于所述支承基材上并具有能够通过曝光、显影来形成要设置于透明基板与半导体晶片之间的隔片的光固化性，其特征在于，

若设定所述支承基材的平均厚度为t₁[μm]、所述隔片形成层的平均厚度为t₂[μm]、可见光波段中的所述支承基材的吸光系数为α_V1[1/μm]、可见光波段中的所述隔片形成层的吸光系数为α_V2[1/μm]时，分别满足下列关系式<1>～<4>，

α_V1×t₁+α_V2×t₂≤-log₁₀(0.2)        ……<1>

5≤t₁≤200                            ……<2>

5≤t₂≤400                            ……<3>

10≤t₁+t₂≤405                        ……<4>。

(2)如上述技术方案(1)所述的隔片形成用膜，其中，若设定入射所述支承基材的可见光的量为I_V0、透过所述支承基材的所述可见光的量为I_V1、透过所述隔片形成层的所述可见光的量为I_V2时，满足下列关系式<5>～<7>，

I_V1/I_V0≥0.2                        ……<5>

I_V2/I_V1≥0.2                        ……<6>

I_V2/I_V0≥0.2                        ……<7>。