[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，通过电流检测单元的输出电流，探测具备主单元和所述电流检测单元的功率半导体元件的所述主单元的电流，其特征在于，

将所述电流检测单元的输出与运算放大器的反转输入端子连接，并且所述运算放大器的非反转输入端子与施加了源偏置电压的所述主单元的源极连接，

所述半导体装置具备：

第一错误探测电路，通过包括所述运算放大器和检测电阻的电流/电压变换电路将所述电流检测单元的输出电流变换为检测电压，比较该检测电压和第一基准电压而输出错误信号；以及

第二错误探测电路，比较所述运算放大器的反转输入端子的电压和被设定为高于所述源偏置电压的第二基准电压而输出错误信号。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在运算放大器的反转输入端子与非反转输入端子之间，以所述反转输入端子侧为阴极、以非反转输入端子侧为阳极而连接有二极管。

3.一种半导体装置，通过电流检测单元的输出电流，探测具备主单元和所述电流检测单元的功率半导体元件的所述主单元的电流，其特征在于，

将所述电流检测单元的输出与运算放大器的反转输入端子连接，并且所述运算放大器的非反转输入端子与施加了源偏置电压的所述主单元的源极连接，

具备错误探测电路，该错误探测电路通过包括所述运算放大器和检测电阻的电流/电压变换电路将所述电流检测单元的输出电流变换为检测电压，并且比较该检测电压和基准电压而输出错误信号，

在所述运算放大器的反转输入端子与非反转输入端子之间，以所述反转输入端子侧为阴极、以非反转输入端子侧为阳极而连接有二极管。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

功率半导体元件由宽带隙半导体元件形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

宽带隙半导体元件的材料是炭化硅、氮化镓和金刚石中的某一个。