[发明专利]涂覆坩埚及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种用于容纳熔融半导体材料的坩埚，所述坩埚包含：具有底部和从底部向上延伸的侧壁的主体，底部和侧壁限定用于容纳半导体材料的空腔，侧壁具有内表面和外表面；和

在侧壁内表面的第一区域上的第一涂层；

在侧壁内表面的第二区域上的第二涂层，其中第二涂层包含在第一涂层中不存在的添加剂。

2.根据权利要求1的坩埚，其中第一涂层从坩埚底部延伸至高度H₁且第二涂层从大约H₁延伸至高度H₂。

3.根据权利要求2的坩埚，其中坩埚底部与H₁之间的距离为侧壁高度的至少约50％。

4.根据权利要求2或权利要求3的坩埚，其中坩埚底部与H₂之间的距离为侧壁高度的至少约60％或侧壁高度的至少约75％或至少约90％。

5.根据权利要求2或权利要求3的坩埚，其中H₂延伸至大约凝固线S₁上方。

6.根据权利要求2或权利要求3的坩埚，其中H₂延伸至大约坩埚顶部。

7.根据权利要求2的坩埚，其中坩埚底部与H₁之间的距离为侧壁高度的至少约70％。

8.根据权利要求7的坩埚，其中坩埚底部与H₂之间的距离为侧壁高度的至少约75％或侧壁高度的至少约90％。

9.根据权利要求7的坩埚，其中H₂延伸至大约凝固线S₁上方。

10.根据权利要求7的坩埚，其中H₂延伸至大约坩埚顶部。

11.根据权利要求2的坩埚，其中坩埚底部与H₁之间的距离为侧壁高度的至少约85％。

12.根据权利要求11的坩埚，其中坩埚底部与H₂之间的距离为侧壁高度的至少约90％。

13.根据权利要求12的坩埚，其中H₂延伸至大约凝固线S₁上方。

14.根据权利要求12的坩埚，其中H₂延伸至大约坩埚顶部。

15.根据权利要求1-14中任一项的坩埚，其中第一涂层包含氮化硅。

16.根据权利要求15的坩埚，其中第一涂层基本由氮化硅和碳组成。

17.根据权利要求15的坩埚，其中第一涂层包含小于约1重量％的碳。

18.根据权利要求1-17中任一项的坩埚，其中第二涂层包含氮化硅和烧结剂。

19.根据权利要求18的坩埚，其中第二涂层包含至少约40重量％的氮化硅，至少约60％或至少约80重量％的氮化硅。

20.根据权利要求18或权利要求19的坩埚，其中第二涂层包含至少约0.5重量％的氧化钇作为烧结剂或至少约1％，至少约5％，至少约10％，至少约15％，至少约20％或约0.5至约25重量％的氧化钇作为烧结剂。

21.根据权利要求18-20中任一项的坩埚，其中第二涂层包含至少约0.5重量％的二氧化硅作为烧结剂，或至少约1％，至少约5％，至少约10％，至少约15％，至少约20％，或约0.5至约25重量％的二氧化硅作为烧结剂。

22.根据权利要求18-21中任一项的坩埚，其中第二涂层包含至少约0.5重量％的氧化铝作为烧结剂或至少约1％，至少约5％，至少约10％或约0.5至约25重量％的氧化铝作为烧结剂。

23.根据权利要求18-20中任一项的坩埚，其中第二涂层基本由氮化硅、烧结剂和碳组成。

24.根据权利要求23的坩埚，其中烧结剂选自氧化钇、二氧化硅、氧化铝及其组合。

25.根据权利要求23的坩埚，其中烧结剂为氧化钇。

26.根据权利要求23的坩埚，其中烧结剂为二氧化硅。