[发明专利]Y型六角晶系铁氧体及其制造方法和使用其的天线装置

权利要求书

1.一种用于制造Y型六角晶系铁氧体的方法，所述方法包括：

混合氧化铁、碳酸钡和氧化钴；

在给定煅烧温度煅烧混合的氧化铁、碳酸钡和氧化钴，以化合成基铁氧体；并且

在将硅酸盐玻璃添加到所述基铁氧体中后，在给定烧结温度烧结所述基铁氧体和所述硅酸盐玻璃，

其中，所述烧结温度低于所述煅烧温度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述烧结温度的范围从1000℃到1180℃。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述烧结温度的范围从1090℃到1110℃。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述基铁氧体和所述硅酸盐玻璃的烧结执行大约两个小时。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述基铁氧体和所述硅酸盐玻璃的烧结包括：将重量百分比的范围从0.5到5的硅酸盐玻璃添加到重量百分比为100的基铁氧体中。

6.如权利要求5所述的方法，还包括：执行称重过程，在所述称重过程中，对于重量百分比为100的硅酸盐玻璃，分别准备重量百分比为60-100的二氧化硅、重量百分比为0-20的氧化硼、重量百分比为0-10的氧化锂、重量百分比为0-5的氧化钾、重量百分比为0-5的氧化钠、以及重量百分比为0-5的氧化钡。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述硅酸盐玻璃包括石英玻璃和气相二氧化硅玻璃中的一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述称重过程包括：准备重量百分比为65的二氧化硅、重量百分比为20的氧化硼、重量百分比为7的氧化锂、重量百分比为5的氧化钾和氧化钠之一、以及重量百分比为3的氧化钡。

9.一种Y型六角晶系铁氧体的组合物，所述组合物包括：

由氧化铁、碳酸钡和氧化钴组成的基铁氧体；和

添加到所述基铁氧体中的硅酸盐玻璃。

10.如权利要求9所述的组合物，其中，重量百分比的范围从0.5到5的硅酸盐玻璃被添加到重量百分比为100的基铁氧体中。

11.如权利要求10所述的组合物，其中，所述硅酸盐玻璃包括重量百分比为60-100的二氧化硅、重量百分比为0-20的氧化硼、重量百分比为0-10的氧化锂、重量百分比为0-5的氧化钾、重量百分比为0-5的氧化钠和重量百分比为0-5的氧化钡。

12.如权利要求11所述的组合物，其中，所述硅酸盐玻璃包括石英玻璃和气相二氧化硅玻璃中的一种。

13.如权利要求11所述的组合物，其中，所述硅酸盐玻璃包括重量百分比为65的二氧化硅、重量百分比为20的氧化硼、重量百分比为7的氧化锂、重量百分比为5的氧化钾和氧化钠中的一个、以及重量百分比为3的氧化钡。

14.如权利要求10所述的组合物，其中，所述基铁氧体包括：重量百分比为60的氧化铁、重量百分比为20的碳酸钡和重量百分比为20的氧化钴。

15.一种天线装置，包括Y型六角晶系铁氧体，所述装置包括：

磁载体，由Y型六角晶系铁氧体形成，所述Y型六角晶系铁氧体包括由氧化铁、碳酸钡和氧化钴组成的基铁氧体、以及添加到所述基铁氧体中的硅酸盐玻璃；和

天线图案，形成在所述磁载体的表面上，并且在提供电源时在特定频带中谐振。

16.如权利要求15所述的天线装置，其中，所述硅酸盐玻璃的重量百分比的范围从0.5到5，并且被添加到重量百分比为100的基铁氧体中。

17.如权利要求15所述的天线装置，其中，所述频带的范围从0Hz到5GHz，以及其中，在所述天线图案谐振时，所述磁载体的磁导率和介电常数中的至少一个被维持。

18.如权利要求16所述的装置，其中，所述硅酸盐玻璃包括重量百分比为60-100的二氧化硅、重量百分比为0-20的氧化硼、重量百分比为0-10的氧化锂、重量百分比为0-5的氧化钾、重量百分比为0-5的氧化钠和重量百分比为0-5的氧化钡。

19.如权利要求18所述的装置，其中，所述硅酸盐玻璃包括石英玻璃和气相二氧化硅玻璃中的一种。

20.如权利要求18所述的装置，其中，所述硅酸盐玻璃包括重量百分比为65的二氧化硅、重量百分比为20的氧化硼、重量百分比为7的氧化锂、重量百分比为5的氧化钾和氧化钠中的一个、以及重量百分比为3的氧化钡。