[发明专利]用于蚀刻含硅膜的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻待处理目标物的含硅膜的方法，所述目标物包含所述含硅膜和有机膜，所述含硅膜可被氧化氮(NOx)氧化，所述方法包括：

通过将基本上不含氢原子的原料气引入到处于近大气压下的等离子体生成空间中而产生蚀刻气体的生成步骤；和

使所述蚀刻气体与所述目标物接触的蚀刻反应步骤；

其中所述原料气含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分、7至80体积％的氮气(N₂)和5至60体积％的氧气(O₂)。

2.根据权利要求1所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气含有45体积％以下的氧气。

3.根据权利要求1或2所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气含有30体积％以下的氧气。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于蚀刻的方法，其中所述氟组分和氧气的总和与氮气的体积流量比为70∶30至20∶80，并且所述氟组分与氧气的体积流量比为75∶25至40∶60。

5.根据权利要求4所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气中所述氟组分和氧气的总和与氮气的体积流量比为60∶40至30∶70。

6.根据权利要求4或5所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气中所述氟组分和氧气的总和与氮气的体积流量比为50∶50至40∶60。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气中所述氟组分与氧气的体积流量比为60∶40至40∶60。

8.根据权利要求1所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气含有20体积％以上的所述氟组分和60体积％以下的氮气。

9.根据权利要求8所述的用于蚀刻的方法，其中所述原料气含有40体积％以上的所述氟组分、40体积％以下的氮气和40体积％以下的氧气。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的用于蚀刻的方法，其中所述含硅膜含有下列各项中的任一种：硅(Si)，氮化硅(SiNx)，碳化硅(SiC)，氧氮化硅(SiON)，氧碳化硅(SiOC)和碳氮化硅(SiCN)。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的用于蚀刻的方法，其中所述含硅膜由氮化硅(SiNx)组成。

12.根据权利要求1、8或9所述的用于蚀刻的方法，其中所述含硅膜由非晶硅组成。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的用于蚀刻的方法，其中所述方法还包括将所述目标物的温度控制在50摄氏度至120摄氏度的温度控制步骤。

14.根据权利要求12所述的用于蚀刻的方法，其中将所述目标物的温度控制在高于50摄氏度至100摄氏度。

15.根据权利要求12或14所述的用于蚀刻的方法，其中将所述目标物的温度控制在60摄氏度至80摄氏度。

16.根据权利要求12、14或15所述的用于蚀刻的方法，其中所述目标物包括所述由非晶硅组成的含硅膜、金属膜和所述有机膜，所述含硅膜、所述金属膜和所述有机膜依次层叠，所述含硅膜的在所述金属膜侧的所述含硅膜的膜部分被掺杂剂掺杂，所述膜部分被所述蚀刻气体蚀刻。