[发明专利]薄膜及其掩模粘接剂有效
| 申请号： | 201080041077.3 | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102511019A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 村上修一;河关孝志;森峰宽 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;C08L23/12;C08L25/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 及其 掩模粘接剂 | ||
1.一种薄膜，其含有：
薄膜框、
配置于所述薄膜框的一端面的薄膜的膜、和
配置于所述薄膜框的另一端面的掩模粘接剂层，
所述掩模粘接剂层含有相对于100质量份的苯乙烯系树脂(A)为35质量份以上170质量份以下的含有聚丙烯(b1)和丙烯系弹性体(b2)的硬度调整剂(B)，
在所述掩模粘接剂层的电子显微镜照片中观察到苯乙烯系树脂(A)的连续相和硬度调整剂(B)的分散相的相分离结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜，所述硬度调整剂(B)的分散相具有所述聚丙烯(b1)的连续相和所述丙烯系弹性体(b2)的分散相。
3.根据权利要求1所述的薄膜，所述掩模粘接剂层的动态粘弹性中的tanδ的最大值为1.5以上5以下，且25℃时的储能模量为4.1×105Pa·s以上1×109pa·s以下。
4.根据权利要求1所述的薄膜，所述聚丙烯(b1)和所述丙烯系弹性体(b2)的质量比为10∶90～30∶70。
5.根据权利要求1所述的薄膜，在红外吸收光谱中，所述掩模粘接剂层在761cm-1以上767cm-1以下的区域内具有吸收峰。
6.根据权利要求1所述的薄膜，所述苯乙烯系树脂(A)为苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯共聚物，
所述聚丙烯(b1)为均聚丙烯或含有5摩尔％以下的共聚单体成分的无规聚丙烯，且
所述丙烯系弹性体(b2)为丙烯丁烯乙烯共聚物。
7.一种掩模粘接剂，其为用于将薄膜固定于掩模的掩模粘接剂，
含有相对于100质量份的苯乙烯系树脂(A)为35质量份以上170质量份以下的含有聚丙烯(b1)和丙烯系弹性体(b2)的硬度调整剂(B)，
在电子显微镜照片中观察到苯乙烯系树脂(A)的连续相和硬度调整剂(B)的分散相的相分离结构。
8.根据权利要求7所述的掩模粘接剂，所述硬度调整剂(B)的分散相具有所述聚丙烯(b1)的连续相和所述丙烯系弹性体(b2)的分散相。
9.根据权利要求7所述的掩模粘接剂，动态粘弹性中的tanδ的最大值为1.5以上5以下，且25℃时的储能模量为4.1×105Pa·s以上1×109Pa·s以下。
10.根据权利要求7所述的掩模粘接剂，所述聚丙烯(b1)和所述丙烯系弹性体(b2)的质量比为10∶90～30∶70。
11.根据权利要求7所述的掩模粘接剂，在红外吸收光谱中，在761cm-1以上767cm-1以下的区域内具有吸收峰。
12.根据权利要求7所述的掩模粘接剂，所述苯乙烯系树脂(A)为苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯共聚物，
所述聚丙烯(b1)为均聚丙烯或含有5摩尔％以下的共聚单体成分的无规聚丙烯，且
所述丙烯系弹性体(b2)为丙烯丁烯乙烯共聚物。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
