[发明专利]功率半导体模块和功率半导体电路装置

权利要求书

1. 一种功率半导体模块，具有

衬底（31），

至少两个设置在该衬底（31）上的并联连接的功率半导体开关（32），

至少一个中间电路端子（T+a；T+b；T+ab），用于将功率半导体开关与第一供给电压电势连接，以及

至少两个中间电路端子（T-a,T-b），用于将功率半导体开关(32)与第二供给电压电势连接，其中一个供给电压电势是负，另一个是正。

2. 根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述衬底（31）是DCB陶瓷衬底。

3. 根据权利要求1或4之一所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体开关（32）实施为IGBT半导体芯片、MOSFET半导体芯片或MCT半导体芯片。

4. 根据权利要求1－3之一所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体模块（30）具有相电压端子（34）并且被构造为反用换流器。

5. 根据权利要求1－4之一所述的功率半导体模块，其特征在于，具有正供给电压电势的中间电路端子（T+）和具有负供给电压电势的中间电路端子（T-）分别直接相邻地设置在衬底（31）上。

6. 具有按照权利要求1至5之一所述的功率半导体模块（30）和至少一个中间电路电容器（1）的功率半导体电路装置，该中间电路电容器通过引线（2）与功率半导体模块（30）的中间电路端子（T+,T-）电连接，其中为每个中间电路端子（T+,T-）设置一个自己的引线，该引线从中间电路电容器（1）被引导直至功率半导体模块（30）。

7. 根据权利要求6所述的功率半导体电路装置，其特征在于，在功率半导体模块（30）上分别直接相邻地设置有具有正电势的中间电路端子（T+）和具有负电势的中间电路端子（T-），并且连接在其上的引线（2）尽可能平行地被引导直至中间电路电容器（1）。