[发明专利]芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物

权利要求书

1.一种芳香族烃树脂，其通过使式[1]所示的芳香族烃和式[2]所示的醛在酸性催化剂的存在下反应而得到，

式[1]中，R表示氢或碳原子数1～4的烷基，l和m分别表示1～3的数，A表示0～2的数，l和m各自为2以上时，存在的多个R可以相同也可以不同；

式[2]中，X表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、环己基、羟基、甲酰基或羰基，p和q分别表示1～3的数，B表示0～2的数，p和q各自为2以上时，存在的多个X可以相同也可以不同。

2.根据权利要求1所述的芳香族烃树脂，其中，式[1]所示的芳香族烃为选自苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、萘、甲基萘、二甲基萘和蒽中的至少一种。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，式[2]所示的醛类为选自苯甲醛、甲基苯甲醛、乙基苯甲醛、丙基苯甲醛、丁基苯甲醛、环己基苯甲醛、联苯甲醛、羟基苯甲醛、二羟基苯甲醛、萘甲醛、和羟基萘甲醛中的至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，酸性催化剂为选自盐酸、硫酸、磷酸、草酸、甲酸、对甲苯磺酸、甲磺酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸、氯化锌、氯化铝、氯化铁、三氟化硼、硅钨酸、磷钨酸、硅钼酸和磷钼酸中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的芳香族烃树脂，其以下述式(3)表示，

式[3]中，n为1～50的数，R、X、l、m、p和q均与所述式(1)和(2)相同。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，碳浓度为90～99.9质量％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的芳香族烃树脂，其中，氧浓度为0～5质量％。

8.一种光刻用下层膜形成组合物，其为用于在基板与抗蚀剂层之间形成下层膜的下层膜形成组合物，至少包含权利要求1～7中任一项所述的芳香族烃树脂和有机溶剂。

9.根据权利要求8所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有产酸剂。

10.根据权利要求8或9所述的光刻用下层膜形成组合物，其还配合有交联剂。

11.一种光刻用下层膜，其由权利要求8～10中任一项所述的光刻用下层膜形成组合物形成。

12.一种多层抗蚀图案的形成方法，其特征在于，使用权利要求8～10中任一项所述的下层膜形成组合物在基板上形成下层膜，在该下层膜上形成至少1层光致抗蚀剂层，然后在该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线，进行碱性显影形成抗蚀图案后，将该抗蚀图案作为掩模，利用至少含有氧气的等离子体对所述下层膜进行蚀刻，将抗蚀图案转印在所述下层膜上。