[发明专利]具有波长识别的光电检测器、其形成方法及设计结构

权利要求书

1.一种光电检测器，包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底内的光转换器件；

在所述光转换器件之上的第一层；

在所述第一层之上的第二层；以及

具有半径r并定位于所述第一层和所述光转换器件之上的波导，其中r在约1000埃至约4000埃的范围内。

2.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述第一层包括介电层。

3.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述第二层包括介电层或金属层。

4.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述光转换器件选自包括光电门、光电导体以及光电二极管的组。

5.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述光电检测器包含于数字照相机中。

6.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述光电检测器包含于光谱分析仪中。

7.根据权利要求1所述的光电检测器，其中所述光电检测器没有选自包括聚合物滤色片、染料浸渍抗蚀剂、以及Fabry-Perot干涉层的组中的元件。

8.一种图像传感器，包括：

光电检测器阵列，每一个光电检测器包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底内的光转换器件；

在所述光转换器件之上的第一层；

在所述第一层之上的第二层；以及

具有半径r并定位于所述第一层和所述光转换器件之上的波导，其中r在约1000埃至约4000埃的范围内。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述图像传感器包括CMOS图像传感器或CCD图像传感器。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一层包括介电层。

11.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第二层包括介电层或金属层。

12.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述光转换器件选自包括光电门、光电导体、以及光电二极管的组。

13.一种形成光电检测器的方法，包括：

在半导体衬底内形成光转换器件；

在所述光转换器件之上形成第一层；

在所述第一层之上形成第二层；以及

形成具有半径r并定位于所述第一层和所述光转换器件之上的波导，其中r在约1000埃至约4000埃的范围内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层包括介电层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二层包括介电层或金属层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述光转换器件选自包括光电门、光电导体以及光电二极管的组。

17.一种在机器可读介质中具体化的设计结构，用于设计、制造或测试光电检测器，所述设计结构包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底内的光转换器件；

在所述光转换器件之上的第一层；

在所述第一层之上的第二层；以及

具有半径r并定位于所述第一层和所述光转换器件之上的波导，其中r在约1000埃至约4000埃的范围内。

18.根据权利要求17所述的设计结构，其中所述设计结构包括网表。

19.根据权利要求17所述的设计结构，其中所述设计结构以用于集成电路的布局数据的交换的数据格式存在于存储介质上。

20.根据权利要求17所述的设计结构，其中所述设计结构包括测试数据、特征数据、验证数据或设计说明中的至少之一。