[发明专利]多晶硅块及多晶硅块的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅块，其中，由块体中检测到的铬、铁、镍、铜、钴的杂质浓度总计为150ppta以下。

2.如权利要求1所述的多晶硅块，其中，所述杂质浓度总计为100ppta以下。

3.如权利要求2所述的多晶硅块，其中，所述杂质浓度总计为75ppta以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的多晶硅块，其中，所述杂质浓度为利用电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS)法得到的分析值。

5.如权利要求1～3中任一项所述的多晶硅块，其中，所述多晶硅块的表面由硅氧化膜覆盖。

6.一种多晶硅块，用于在一次操作中利用CZ法提拉10根以下的单晶硅锭的多段拉晶，其中，

由块体中检测到的铬、铁、镍、铜、钴的杂质浓度总计为75ppta以下，且表面由硅氧化膜覆盖。

7.一种多晶硅块的制造方法，其中，具备：

使硅在一端与第一电极连接、另一端与第二电极连接的芯线上析出而生长多晶硅棒的气相生长工序，

将所述多晶硅棒取出到反应炉外的取晶工序，及

使所述多晶硅棒形成多晶硅块的破碎工序；并且

在所述破碎工序之前，具备将取出到所述反应炉外的多晶硅棒的距电极侧端至少70mm以内的多晶硅部分除去的截切工序。

8.如权利要求7所述的多晶硅块的制造方法，其中，所述截切工序中，将距电极侧端至少155mm以内的多晶硅部分除去。

9.如权利要求7或8所述的多晶硅块的制造方法，其中，所述取晶工序中，将所述多晶硅棒在表面由袋状构件覆盖的状态下取出到反应炉外。

10.如权利要求9所述的多晶硅块的制造方法，其中，将所述多晶硅棒取出到反应炉外之后，对覆盖该多晶硅棒的表面的袋状构件的开口部进行密封。

11.如权利要求9所述的多晶硅块的制造方法，其中，所述袋状构件为聚乙烯制的袋。

12.如权利要求7或8所述的多晶硅块的制造方法，其中，

具备清洗工序作为所述破碎工序的后续工序，

该清洗工序中，通过使用臭氧水溶液的氧化处理使所述多晶硅块的表面由硅氧化膜覆盖，并在该多晶硅块的表面由硅氧化膜覆盖的状态下结束。