[发明专利]具有硅锗低接触电阻的PIN二极管及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体二极管的方法，所述方法包括：

形成以具有第一传导率的第一材料掺杂的第一硅区(504)；

在所述第一硅区上形成第二硅区(506)，所述第二硅区非故意掺杂；

在所述第二硅区上形成第三硅区(508，513)；

以具有与所述第一传导率相反的第二传导率的第二材料掺杂所述第三硅区(512，513)；

在所述第三硅区上形成SiGe区(510，515)；及

在所述SiGe区上形成上触头(516)。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在SiGe上沉积包括硅化物形成材料的区；及

加温退火以将硅化物形成材料与SiGe反应，以在所述SiGe区中形成硅化物。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，进一步包括：以具有第二传导率的材料掺杂所述SiGe区。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述SiGe区中的硅与锗的比近似为4∶1。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，掺杂所述第三硅区包括：执行原位掺杂。

6.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其中，掺杂所述第三硅区包括：执行第二材料的离子注入。

7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其中，掺杂所述第三硅区包括：在形成SiGe区之后执行第二材料的离子注入。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中，在SiGe上沉积包括硅化物形成材料的区包括：在所述SiGe区上形成包括钛、钽及钴中的一种或多种的区。

9.一种半导体二极管，包括：

第一硅区(242)，所述第一硅区是以具有第一传导率的第一材料掺杂的；

在所述第一硅区上的第二硅区(244)，所述第二硅区非故意掺杂；

在所述第二硅区上的第三硅区(246)，所述第三硅区是以具有与所述第一传导率相反的第二传导率的第二材料掺杂的；

在所述第三硅区上的包括SiGe的区(233)；及

在SiGe区上的导电触头(230)。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述SiGe区是被硅化的。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中，导电触头包括氮化钛、氧化钽或一氮化二钴中的一种或多种。

12.根据权利要求9至11任一项所述的半导体器件，其中，在所述SiGe区中的硅与锗的比近似为4∶1。

13.根据权利要求9至12所述的半导体器件，其中，所述SiGe区是以具有第二传导率的材料掺杂的。

14.根据权利要求9至13所述的半导体器件，其中，所述SiGe区具有x个单位的厚度且所述第二硅区具有近似x个单位的厚度。

15.根据权利要求9至14所述的半导体器件，进一步包括在所述SiGe区和所述导电触头之间的硅区。