[发明专利]制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造基于硅的薄膜太阳能电池的方法，该太阳能电池包括：

●基板；

●所述基板上的第一电极层，其包含透明导电氧化物；

●所述第一电极层上的堆叠层，其包含正掺杂半导体层、本征半导体层及负掺杂半导体层以及第二电极层；

所述方法包含以下步骤：

●提供所述基板；

●在所述基板上沉积所述第一电极层，该第一电极层包含所述透明导电氧化物并具有表面；

●在第一时间间隔期间由第一真空处理工艺处理所述表面；

●由在第二时间间隔期间在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行的第二真空工艺在由所述第一真空处理工艺所处理的所述表面上沉积所述正掺杂层及所述负掺杂层之一；

●在包含气态掺杂物的工艺气氛中执行所述第一真空处理工艺，该气态掺杂物与在所述第二真空工艺的所述气氛中包含的量不同，但是在其它方面执行与所述第二真空工艺相同的所述第一真空处理工艺，并选择比所述第二时间间隔短的所述第一时间间隔。

2.如权利要求1的方法，其包含在包含SiH₄及H₂以及气态掺杂物的气氛中，作为真空等离子体处理工艺执行所述第一真空处理工艺，该气态掺杂物浓度介于存在于所述第二真空工艺的气氛中的气态掺杂物浓度的0％到80％之间，优选是介于0％到20％之间，由此，优选地由所述第二真空工艺沉积所述正掺杂半导体层。

3.如权利要求1的方法，其包含由所述第二真空工艺沉积微晶氢化硅的正掺杂层作为所述一个层，由此执行适于微晶材料沉积的所述第二真空工艺，以及在无气态掺杂物的气氛中执行所述第一真空处理工艺，以及优选地在包含氢化碳化硅的工艺气氛中在所述氢化微晶硅的正掺杂层上沉积硅与碳的合金的非晶正掺杂层，其中进一步优选地所述第二真空工艺是真空等离子体工艺。

4.如权利要求1的方法，其中所述第二真空工艺是真空等离子体工艺。

5.如权利要求1的方法，其中所述第一时间间隔被选择成介于该第一及第二时间间隔的和的5％到20％之间，并且其中优选地所述第二真空工艺是真空等离子体工艺，并且下列至少之一是有效的：

●由所述第二真空工艺所沉积的所述一个掺杂半导体层是所述正掺杂半导体层；

●所述一个掺杂半导体层是在包含SiH₄对H₂的浓度为0.1％至10％，优选为1％至5％的气氛中沉积的；

●所述一个掺杂半导体层是在包含SiH₄的气氛中沉积的，并且在所述气氛中该掺杂物对SiH₄的浓度是0.1％到10％，优选为0.05％到0.5％；

●所述一个掺杂半导体层是在功率密度为10mW/cm²到1W/cm²，优选地是介于50mW/cm²到300mW/cm²之间沉积的；

●所述一个掺杂半导体层是在0.5mbar到12mbar的总压力下沉积的；

●所述一个掺杂半导体层是在介于150℃到280℃之间的工艺温度下沉积的；

●所述一个掺杂半导体层是以频率为13.56MHz到82MHz的Rf功率沉积的。