[发明专利]高效率非晶/微晶堆叠串联电池

权利要求书

1.一种用于制造非晶/微晶堆叠串联电池的方法，该非晶/微晶堆叠串联电池包括μc-Si:H底部电池与a-Si:H顶部电池、LPCVD ZnO正面接触层及ZnO背面接触结合白反射体，该方法包括下列步骤：

将AR-抗反射-概念应用于该非晶/微晶堆叠串联电池；

在该非晶/微晶堆叠串联电池中实施中间反射体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，以下其中至少之一适用：

—非晶与微晶硅是通过PECVD在40.68MHz的激发能下沉积的；

—非晶与微晶硅是通过KAI-M反应器沉积的；

—该非晶/微晶堆叠串联电池具有10.6％的稳定效率；

—该微晶底部电池具有0.8微米的厚度；

—顶部与底部电池的总体硅吸收体层大约是1微米厚；

—该中间反射体具有1.68的折射率。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，所述非晶/微晶堆叠串联电池包括具有玻璃/空气界面的基板/p-i-n结结构，所述玻璃/空气界面具有抗反射能力，所述方法包括提供具有玻璃/空气界面的玻璃基板/p-i-n结结构，并且接着DART蚀刻所述空气/玻璃界面的所述玻璃表面，以提供所述抗反射(AR)以及期望的光散射能力(D)。

4.如权利要求3所述的方法，其中，在第一时间间隔期间执行蚀刻以提供抗反射能力(AR)，并且在经选定的第二时间间隔期间额外地执行所述蚀刻以额外地(AR+D)提供增加的光散射量。

5.如权利要求3或权利要求4所述的方法，包括以下特征中的至少一个：

—所述玻璃基板/p-i-n结结构包含第一电极、一个或多个半导体薄膜p-i-n或n-i-p结、以及第二电极，其顺序地堆叠于所述基板上，尤其是所述LPCVD ZnO正面接触层、所述μc-Si:H底部电池，所述a-Si:H顶部电池、以及ZnO背面接触顺序地堆叠于所述基板上；

—所述玻璃基板/p-i-n结结构包含透明的玻璃基板，所述透明的玻璃基板具有沉积于其上的透明导电氧化物层，尤其是具有沉积于其上的所述LPCVD ZnO正面接触层；

—在提供所述玻璃基板/p-i-n结结构之后，通过蚀刻建立抗反射与散射能力。

6.如权利要求4及权利要求5之一所述的方法，进一步包括以下步骤：仅在所述第二时间间隔期间执行所述蚀刻之前，透过所述玻璃/空气界面执行激光图案化的步骤。

7.如权利要求3至权利要求6之一所述的方法，其中，通过反应离子蚀刻执行所述蚀刻。

8.如权利要求3至权利要求7之一所述的方法，包括通过下述来保护所述p-i-n结结构，尤其是所述a-Si:H顶部电池，避免其受到所述蚀刻所述玻璃表面的影响的步骤：

—暂时的机械装置，优选地是具有夹固框架的载体装设，其中，所述框架提供密封装置，其允许仅暴露出需要被蚀刻的所述玻璃表面；或者通过

—可移除的粘性膜或可移除的涂料，优选地是，白反射体涂料。

9.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述非晶/微晶堆叠串联电池包括：

—基板；以及

—第一电极，尤其是所述LPCVD ZnO正面接触层、一个或多个半导体薄膜p-i-n或n-i-p结，尤其是所述μc-Si:H底部电池与所述a-Si:H顶部电池、以及第二电极，尤其是所述ZnO背面接触，其顺序地堆叠于所述基板上；

其中，所述方法包括：

—提供所述基板以及堆叠于所述基板上的所述第一电极与所述至少一个结；

—使所述结的表面经受被控制的氧化，以便透过所述至少一个结去活泄漏边界；

—将所述第二电极直接地或间接地施加于已经受所述氧化的所述表面上方。