[发明专利]高分子量烷基-烯丙基三羰基钴配合物及其用于制备介电薄膜的用途

权利要求书

1.通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法，该方法包括使用对应于式I结构的至少一种前体：

(式I)

其中

R¹和R²独立地为C₂-C₈烷基；

x为0、1或2；并且

y为0或1；

其中x和y两者不能同时为0。

2.权利要求1的方法，其中该至少一种前体对应于式Ia结构：

(式Ia)

其中

R¹和R²独立地为C₂-C₈烷基；并且

x为0、1或2。

3.权利要求1的方法，其中该至少一种前体对应于式Ib结构：

(式Ib)

其中

R¹独立地为C₂-C₈烷基；并且

x为1或2。

4.权利要求1的方法，其中y为1并且x为1。

5.权利要求1的方法，其中y为1并且x为2。

6.权利要求2的方法，其中该至少一种前体选自：

7.权利要求3的方法，其中该至少一种前体选自：

8.权利要求1的方法，其中该气相沉积工艺为化学气相沉积。

9.权利要求8的方法，其中该化学气相沉积为液体注射化学气相沉积。

10.权利要求1的方法，其中该气相沉积工艺为原子层沉积。

11.权利要求10的方法，其中该原子层沉积为液体注射原子层沉积。

12.权利要求10的方法，其中该原子层沉积为脉冲注射原子层沉积。

13.权利要求1的方法，其中该至少一种前体在与氧源的脉冲交替的脉冲中递送至基板，以形成金属氧化物膜。

14.权利要求13的方法，其中该氧源选自H₂O、O₂和臭氧。

15.权利要求13的方法，进一步包括使用至少一种共前体以形成混合金属氧化物膜，所述共前体具有选自Ta、Si、Fe、Ru、Ni、Mn、Rh、W和Ir的金属。

16.权利要求15的方法，其中该混合金属氧化物膜包含钴和硅。

17.权利要求1的方法，进一步包括使用至少一种合适的共反应物，该共反应物选自氢、氢等离子体、氧、空气、水、氨水、肼、烷基取代的肼、硼烷、硅烷、臭氧及其组合。

18.权利要求10的方法，进一步包括使用烷基取代的肼作为共反应物以形成含钴薄膜。

19.权利要求18的方法，其中烷基取代的肼为N，N-二甲基肼。

20.权利要求1的方法，其中该至少一种前体递送至基板，所述基板选自硅、氧化硅、氮化硅、钽、氮化钽、铜、钌、氮化钛、钨和氮化钨。

21.权利要求1的方法，其中形成的薄膜包括氮化钴薄膜。

22.权利要求1的方法，其中该方法用于DRAM或CMOS应用。

23.有机金属前体，其对应于式I结构：

(式I)

其中

R¹为C₁-C₈烷基；

R²为C₃-C₈烷基；

x为0、1或2；并且

y为1。

24.权利要求23的前体，其中该前体为