[发明专利]发射率增强的中红外源

权利要求书

1.一种红外源，包括：

一种红外元件，当用激发装置被加热到一个预定温度范围时该红外元件在所希望波长处提供红外辐射；

一种绝缘体，该绝缘体与所述红外元件相联接从而达到由所述红外元件产生的热量提供的一个协同温度范围，其中在所述协同温度范围内的所述绝缘体提供一个或多个所希望的红外发射光谱带，这些光谱带与所述红外元件的输出发射进行共同叠加，从而消除了达到所述协同温度范围的所述红外元件引起的光谱缺陷；并且

其中所述绝缘体的一个或多个壁被配置为一个圆锥形内部，该圆锥形内部收敛于限定所述源的光学孔的一个开口，以便增强所述绝缘体和所述红外元件光谱输出的被共同叠加的发射并且附加地与一种所联接的光谱仪成像元件的视场相匹配。

2.如权利要求1所述的红外源，其中由所述加热的绝缘体提供的所述共同叠加的一个或多个所希望的红外发射光谱带包含低于大约1500波数的光辐射。

3.如权利要求1所述的红外源，其中由所述加热的绝缘体提供的所述共同叠加的一个或多个所希望的红外发射光谱带包含在大约1079波数处的光辐射。

4.如权利要求1所述的红外源，其中所述联接的绝缘体与所述红外元件接触，并且其中所述绝缘体用所述红外源加热到一个所希望的温度范围，使得该共同叠加的发射率增加高达50％左右。

5.如权利要求1所述的红外源，其中所述联接的绝缘体邻近所述绝缘体，并且其中所述绝缘体用所述红外元件加热到一个所希望的温度范围，使得该发射率增加高达50％左右。

6.如权利要求1所述的红外源，其中所述红外元件包括氮化硅。

7.如权利要求1所述的红外源，其中所述红外元件包括碳化硅。

8.如权利要求1所述的红外源，其中所述绝缘体包括配置为能够承受这些工作温度的一种多孔陶瓷材料。

9.如权利要求1或权利要求6所述的红外源，其中所述绝缘体包括至少一种选自氧化铝、氮化物和锆绝缘体的绝缘体。

10.如权利要求1所述的红外源，其中所述预定温度范围包括从700℃左右至高达1400℃左右的一个范围。

11.如权利要求1所述的红外源，其中协同温度范围包括从700℃左右至高达1400℃左右的一个范围。

12.如权利要求1所述的红外源，其中所述激发装置包括选自电源和光源的至少一种激发装置。

13.如权利要求1所述的红外源，其中所述光源包括一种激光二极管。

14.如权利要求1所述的红外源，其中所述绝缘体的所述壁被配置为多个圆锥形内部表面，这些圆锥形内部表面收敛于限定所述源的所述光学孔的一个圆形开口。

15.如权利要求14所述的红外源，其中所述联接的光谱仪成像元件包括从大约f/4至大约f/1的f数，从而具有以所述光学孔优化的所述视场。