[发明专利]碳酸铈类化合物的制备方法、氧化铈的制备方法和结晶氧化铈

权利要求书

1.一种碳酸铈类化合物的制备方法，其包括在50℃以上的温度使铈镧石反应生成包含正交晶系的碳酸氧铈水合物(Ce₂O(CO₃)₂·H₂O)、六方晶系的碳酸羟铈(Ce(OH)·(CO₃))或其混合物的碳酸铈类化合物的步骤。

2.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中铈镧石的反应在液相介质中进行。

3.权利要求2的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述液相介质包含至少一种选自水、乙醇、甲醇、二甲基甲酰胺(DMF)和二甲基亚砜(DMSO)的溶剂。

4.权利要求3的碳酸铈类化合物的制备方法，其中对分散于含水溶剂中的铈镧石进行反应。

5.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在50至300℃的温度下进行。

6.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在常压至100bar的压力下起始。

7.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应进行0.5至100小时。

8.权利要求2的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在铈镧石与液相介质的重量比为1∶0.5至1∶20的液相介质中进行。

9.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在50至130℃的温度下进行，生成包含正交晶系的碳酸氧铈水合物(Ce₂O(CO₃)₂·H₂O)的碳酸铈类化合物。

10.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在110至300℃的温度下进行，生成包含六方晶系的碳酸羟铈(Ce(OH)·(CO₃))的碳酸铈类化合物。

11.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在50℃以上至低于110℃温度下进行，生成包含50体积％以上的正交晶系的碳酸氧铈水合物(Ce₂O(CO₃)₂·H₂O)的碳酸铈类化合物。

12.权利要求1的碳酸铈类化合物的制备方法，其中所述铈镧石的反应在高于130℃至300℃以下的温度下进行，生成包含50体积％以上的六方晶系的碳酸羟铈(Ce(OH)·(CO₃))的碳酸铈类化合物。

13.一种碳酸铈类化合物，其由权利要求1至12任一项的方法制备。

14.权利要求13的碳酸铈类化合物，其中所述碳酸铈类化合物包含50体积％以上的正交晶系的碳酸氧铈水合物(Ce₂O(CO₃)₂·H₂O)或六方晶系的碳酸羟铈(Ce(OH)·(CO₃))。

15.一种氧化铈的制备方法，其包括：根据权利要求1至12任一项的方法制备碳酸铈类化合物的步骤；烧结所述碳酸铈类化合物的步骤。

16.权利要求15的氧化铈的制备方法，其中烧结在300至1,500℃的温度下进行。

17.一种结晶氧化铈，其包含多个氧化铈颗粒，

其中在每个氧化铈颗粒上形成限定多个晶粒的晶界，并且每个晶粒包括一个以上氧化铈晶体。

18.权利要求17的结晶氧化铈，其中所述晶粒的尺寸为20至300nm，并且所述氧化铈晶体的尺寸为10至300nm。

19.权利要求17的结晶氧化铈，其中当所述结晶氧化铈分散于含水溶剂中时，其具有0.5至5μm的平均体积粒径。

20.一种CMP用浆料，其包含权利要求17至19任一项的结晶氧化铈的粉末作为磨料。

21.权利要求20的CMP用浆料，其中所述CMP用浆料包含分散于含水溶剂中的磨料和聚合物分散剂。