[发明专利]太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201080042146.2 申请日: 2010-09-13
公开(公告)号: CN102648529A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: M·赫姆勒;H·豪泽;P·伯格;B·布拉西;M·佩特斯;J·C·戈尔德施密特 申请(专利权)人: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/052;H01L31/075
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池
【权利要求书】:

1.太阳能电池,包括:一个硅层、一个构造成用于光输入的正面和一个背面,所述硅层具有第一掺杂类型的掺杂,其中,硅层是掺杂的基层(1、21、31),在硅层的背面上设置至少一个织构层(2、22、32)和一个金属层(4、24、34),必要时分别具有另外的中间层,并且织构层(2、22、32)至少在一个部分区域内具有背面织构,所述背面织构构造成光学的衍射结构,其特征在于,在背面织构和金属层(4、24、34)之间设置至少一个织构中间结构(3、23、33),其中金属层(4、24、34)与织构层(2、22、32)和/或与基层(1、21、31)导电地连接,织构中间结构(3、23、33)至少在800nm至1100nm的波长范围内是基本透明的,并至少在该波长范围内具有小于织构层折射率的折射率n,所有设置在基层(1、21、31)和织构中间结构(3、23、33)之间的层的折射率与硅的折射率最大相差30%,并且直接设置在基层(1、21、31)的背面上的层是在少数载流子的复合方面使表面钝化的钝化层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,织构中间结构(3、23、33)至少在600nm至1000nm的波长范围内是基本透明的。

3.根据上述权利要求中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,织构中间结构(3、23、33)和/或其他设置在织构层(2、22、32)与金属层(4、24、34)之间的层会降低由背面织构引起的不平度,从而金属层(4、24、34)构造在与背面织构的表面相比不平度较低的面上。

4.根据上述权利要求中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,织构中间结构(3、23、33)以及必要时其他设置在织构层(2、22、32)与金属层(4、24、34)之间的层具有至少50nm的总厚度,优选织构中间结构(3、23、33)具有至少50nm的厚度。

5.根据上述权利要求中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,织构中间结构(3、23、33)至少在800nm至1100nm的波长范围内具有平均小于2的折射率n,优选小于1.6的折射率,特别是大致具有空气的折射率,和/或织构中间结构的吸收系数α最大为104cm-1,优选最大为103cm-1,进一步优选最大为102cm-1

6.根据上述权利要求中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,钝化层是在少数载流子的复合方面使表面钝化的钝化层,特别是这样的钝化层,该钝化层在与基层(1、21、31)的背面的分界面上对于少数载流子具有小于103cm/s,优选小于102cm/s,特别是小于101cm/s的复合速度。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,钝化层是无掺杂的。

8.根据权利要求6至7中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,钝化层由硅构成,优选由本征的、无定形的氢化硅构成。

9.根据上述权利要求中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,织构层(2)构造成发射层,并与基层相反地掺杂,在发射层和基层(1)之间设置至少一个无掺杂的pn中间层(5),通过所述pn中间层在发射层和基层(1)之间构成pn界面,并且发射层至少在发射层的多数载流子方面构造成导电的层,优选在基层/pn中间层/发射层的层序列中没有设置其他的中间层。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,pn中间层(5)构造为根据权利要求6至8中至少一项所述的钝化层。

11.根据权利要求1至8中至少一项所述的太阳能电池,其特征在于,织构中间结构(23)构造成电绝缘,金属层(24)在背面的多个局部区域中至少与基层(21)导电连接,优选金属层(24)在基层(21)背面的表面的多个局部的区域内直接与基层邻接。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其特征在于,织构层(22)直接构造到基层(21)上,优选的是,织构层(22)构造成根据权利要求6至7中至少一项所述的钝化层。

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