[发明专利]火花塞及火花塞的制造方法有效
申请号: | 201080042329.4 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102576985A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 铃木彰;高冈胜哉;本田稔贵;黑野启一 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01T13/38 | 分类号: | H01T13/38;C04B35/111;H01T13/20 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 火花塞 制造 方法 | ||
1.一种火花塞,其包括:
中心电极,该中心电极在所述火花塞的轴线方向上延伸;
大致筒状的绝缘体,该绝缘体围绕所述中心电极布置并且在该绝缘体的前端侧具有小直径的腿部;和
大致筒状的金属壳,该金属壳围绕所述绝缘体布置,
其中,所述火花塞满足下面的条件(1)~条件(5):
条件(1):所述绝缘体在包括所述金属壳的前端面的假想平面处具有0.3mm至1.1mm的壁厚T;
条件(2):所述绝缘体的从所述绝缘体的前端起延伸至所述假想平面后侧至少2mm的区域由氧化铝基烧结体形成,所述氧化铝基烧结体包含Si成分、稀土元素成分和基于1990年推荐的IUPAC的元素周期表中的第2族元素中的至少两种元素成分,并且所述氧化铝基烧结体实质上不包含B成分;
条件(3):在所述氧化铝基烧结体中,所述稀土元素成分的以氧化物计的质量与所述Si成分、所述第2族元素成分以及所述稀土元素成分的以氧化物计的总质量的质量比RRE为0.15至0.45;
条件(4):在所述氧化铝基烧结体中,所述第2族元素成分的以氧化物计的总质量与所述Si成分的以氧化物计的质量的质量比R2为0.25以上;以及
条件(5):所述氧化铝基烧结体在其晶界相中包括含有所述稀土元素成分的铝酸盐晶体。
2.根据权利要求1所述的火花塞,其特征在于,所述壁厚T为0.5mm至1.1mm;并且所述质量比RRE为0.2至0.45。
3.根据权利要求1或2所述的火花塞,其特征在于,当测量所述氧化铝基烧结体的X射线衍射光谱时,在所述X射线衍射光谱中归因于所述铝酸盐晶体的最强峰与归因于氧化铝的最强峰的强度比为0.04以上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述质量比R2为0.25至1.0。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述氧化铝基烧结体在其晶界相中包括含有所述第2族元素成分的硅酸盐晶体;当测量所述氧化铝基烧结体的X射线衍射光谱时,在所述X射线衍射光谱中归因于所述硅酸盐晶体的最强峰与归因于所述铝酸盐晶体的最强峰的强度比为0.32以上。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述火花塞还包括被接合至所述金属壳的前端的接地电极,
其中,在所述假想平面处,所述绝缘体与所述金属壳之间的间隔距离W与所述绝缘体的壁厚T的比W/T为1至8。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述第2族元素成分是至少三种第2族元素。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述第2族元素成分包括Ba成分。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的火花塞,其特征在于,所述金属壳包括形成于所述金属壳的外周面并且公称直径为M10以下的螺纹部。
10.一种火花塞的制造方法,该方法包括:通过制备原料粉末、将所制备的原料粉末加压成形为给定体并且烧结该加压成形后的给定体来制作绝缘体,
其中,通过以满足下面的条件(A)的方式混合Al化合物粉末、Si化合物粉末、基于1990年推荐的IUPAC的元素周期表的第2族元素中的至少两种元素的化合物粉末以及稀土元素化合物粉末来制备所述原料粉末,
条件(A):在所述原料粉末中,10%体积径的颗粒与90%体积径的颗粒之间的粒度分布比90%体积径/10%体积径为3.6至5.2。
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