[发明专利]纳米粒子材料和光电转换器件有效

专利信息
申请号: 201080042595.7 申请日: 2010-09-14
公开(公告)号: CN102576746A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 村山浩二 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;B82B1/00;H01L51/42
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 金世煜;苗堃
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 纳米 粒子 材料 光电 转换 器件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及纳米粒子材料和光电转换器件,更详细而言涉及超微粒子的表面被表面活性剂覆盖的纳米粒子材料、和使用该纳米粒子材料的太阳能电池、发光二极管等光电转换器件。

背景技术

作为粒径为10nm以下的超微粒子的量子点,载流子(电子、空穴)的约束性优异,因此能够通过电子-空穴的再次结合容易地生成激子。因此可期待来自自由激子的发光,并能够实现发光效率高且发光光谱尖锐的发光。另外,由于量子点可利用量子尺寸效应在大的波长范围进行控制,所以对半导体激光、发光二极管(LED)等发光器件的应用备受瞩目。

然而,胶体量子点在液相中进行化学合成,并且通常为了不使量子点彼此凝聚,而用表面活性剂的有机分子覆盖其表面。即,胶体量子点有如下缺点:由于起因于有机分子的表面活性剂的低导电性而电位势垒大,因此介由载流子(空穴和电子)的光电转换效率低。

另外,使用导电性高分子或金属系材料作为表面活性剂时,通过施加电压,被注入到电极的载流子以从阳极到阴极、或从阴极到阳极的方式从表面活性剂中通过,结果难以有效地将上述载流子约束在量子点内。

图9是设想使用了导电性表面活性剂的光电转换器件的示意图。

该光电转换器件,在形成于阳极101的上表面的空穴输送层102和形成于阴极103的下表面的电子输送层104之间夹设有量子点层105。而且,该量子点层105为了不使由核部106与壳部107构成的量子点108彼此凝聚,其表面被导电性表面活性剂109覆盖。即,量子点层105具有排列设置有多个量子点108的层叠结构,在量子点108之间夹设有导电性表面活性剂109。

如果在阳极101和阴极103之间施加电压,则在阳极101注入空穴,在阴极103注入电子。而且,如箭头a和箭头b所示,作为载流子的空穴和电子从导电性表面活性剂109中通过,没被约束在量子点108内的空穴被输送到阴极103方向、电子被输送到阳极101方向。即,使用导电性表面活性剂109时,载流子仅仅形成通电而不能将载流子约束在量子点108内。

因此,研究、开发了以下技术:通过使用具有空穴输送性和电子输送性两者的配体的表面活性剂,从而将载流子约束在量子点内。

例如,专利文献1中提出了一种纳米粒子发光材料,具有局部存在于量子点表面的由至少2种配体构成的表面活性剂,上述配体中,至少1种是空穴输送性配体,至少1种是电子输送性配体。

量子力学体系中,分子具有的能量状态与存在电子的分子轨道相对应,可以划分为能量最低且稳定的基态和比基态能量高的激发态。而且,分子在光照射前处于基态,从具有最低能量的分子轨道开始依次被电子占有,将该基态的分子轨道中最高分子轨道称为最高占有轨道(Highest Occupied Molecular Orbital;以下称为“HOMO”),与该HOMO对应的能量能级是HOMO能级。另一方面,如果分子被光照射则变成激发态,分子轨道成为未被电子占有的空的状态。而且,将这些未被电子占有的分子轨道中的最低分子轨道称为最低空轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital;以下,称为“LUMO”),与该LUMO对应的能量能级是LUMO能级。而且,电子在导带移动,空穴在价带移动。

如图10所示,专利文献1中,使电子输送性配体121的HOMO能级122比空穴输送性配体123的HOMO能级124低,使空穴输送性配体123的LUMO能级125比电子输送性配体121的LUMO能级126高,由此提高载流子对量子点127的注入效率。

另外,如图11所示,该专利文献1中,通过选择电子输送性配体121的HOMO能级122比量子点127的价带的最高电子能级128低的电子输送性配体121,从而利用电子输送性配体121阻挡注入到量子点127的空穴,另外,通过选择空穴输送性配体123的LUMO能级125比量子点127的导带的最低电子能级129高的空穴输送性配体123,从而利用空穴输送性配体123阻挡注入到量子点127的电子。

图12是说明专利文献1中量子点的约束原理的图。

即,量子点108由核部106和覆盖该核部106的壳部107构成,壳部107被表面活性剂133覆盖。该表面活性剂133具有空穴输送性配体133a和电子输送性配体133b,空穴输送性配体133a局部存在于空穴输送层102侧,电子输送性配体133b局部存在于电子输送层104侧。

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