[发明专利]纳米粒子材料的制造方法、纳米粒子材料以及光电转换器件

权利要求书

1.一种纳米粒子材料的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

超微粒子膜形成工序，形成用具有空穴输送性和电子输送性中的任一种输送性的表面活性剂覆盖的超微粒子膜；及

浸渍工序，将在该超微粒子膜形成工序中形成的超微粒子膜浸渍于含有具有与所述一种输送性不同的另一种输送性的表面活性剂的分散溶液中，形成用所述空穴输送性和所述电子输送性这两种表面活性剂覆盖的超微粒子膜。

2.如权利要求1所述的纳米粒子材料的制造方法，其特征在于，所述浸渍工序是将具有所述一种输送性的表面活性剂的一部分与具有所述另一种输送性的表面活性剂进行置换，使具有所述空穴输送性的表面活性剂和具有所述电子输送性的表面活性剂并存。

3.如权利要求1或2所述的纳米粒子材料的制造方法，其特征在于，所述超微粒子膜包含氧化物、化合物半导体及单体半导体。

4.一种纳米粒子材料，其特征在于，是以权利要求1～3中任一项的方法制作的。

5.如权利要求4所述的纳米粒子材料，其特征在于，空穴输送性表面活性剂具有与作为超微粒子的量子点的价带进行共振隧穿的HOMO能级。

6.如权利要求4或5所述的纳米粒子材料，其特征在于，电子输送性表面活性剂具有与作为超微粒子的量子点的导带进行共振隧穿的LUMO能级。

7.一种光电转换器件，其特征在于，量子点层介于第1电极和第2电极之间，

其中，所述量子点层是用权利要求4～6中任一项所述的纳米粒子材料形成的。

8.如权利要求7所述的光电转换器件，其特征在于，在所述第1电极和所述第2电极中的任一电极与所述量子点层之间形成有电子输送层，在另一电极与所述量子点层之间形成有空穴输送层。