[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法和图像显示装置有效

专利信息
申请号: 201080042815.6 申请日: 2010-09-21
公开(公告)号: CN102576507A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 池田典昭;今村千裕;伊藤学 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1368;G02F1/167;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/32;H01L29/417;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/50;H05B33/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 金世煜;苗堃
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 及其 制造 方法 图像 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵基板,其特征在于,是薄膜晶体管构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板,

所述薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、栅极电极上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的半导体活性层、与半导体活性层连接的源电极和漏电极、与漏电极连接的像素电极、和用于将源电极和像素电极绝缘的层间绝缘层,

以将半导体活性层分成两个露出区域的方式在半导体活性层上形成有保护膜,在该两个露出区域中的一方源电极与半导体活性层连接,在另一方漏电极与半导体活性层连接,漏电极在保护膜上与像素电极连接。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,

所述多个薄膜晶体管排列成直线状,

构成所述多个薄膜晶体管的独立的多个半导体活性层并列成直线状,

所述保护膜以分别将所述多个半导体活性层分割为两个露出区域的方式遍及多个半导体活性层地被形成为条纹状。

3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述保护膜以分别将半导体活性层分割为两个露出区域的方式形成,并且形成为划分像素的格子状,且具有遮光性。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述保护膜的形状为正锥形。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述保护膜由有机绝缘材料构成。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述保护膜由多个层构成,至少在与半导体活性层相接的一层中含有无机绝缘材料。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述层间绝缘层着色为规定的颜色。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于,所述半导体活性层由金属氧化物构成。

9.一种图像显示装置,其使用权利要求1~8中所述的有源矩阵基板而成,其特征在于,图像显示方式为液晶方式、有机电致发光方式、电泳方式中的任一种。

10.一种有源矩阵基板的制造方法,是薄膜晶体管构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板的制造方法,所述薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、栅极电极上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的半导体活性层、与半导体活性层连接的源电极和漏电极、与漏电极连接的像素电极、和用于将源电极和像素电极绝缘的层间绝缘层;

具有以下工序:

在基板上形成栅极电极的工序,

在栅极电极上形成栅极绝缘层的工序,

在栅极绝缘层上形成半导体活性层的工序,

在半导体活性层上以将半导体活性层分为两个露出区域的方式形成保护膜的工序,

在保护膜上、半导体活性层上和栅极绝缘层上的全部表面,形成由导电性材料构成的层的工序,

按照在两个露出区域中的一方源电极与半导体活性层连接、在另一方漏电极与半导体活性层连接、漏电极残留在保护膜上的方式将由导电性材料构成的层形成图案的工序,

在基板上的全部表面形成层间绝缘层的工序,

在保护膜上的层间绝缘层设置开口部的工序,

在层间绝缘层上形成像素电极并取得像素电极和漏电极的导通的工序。

11.根据权利要求10所述的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,在所述半导体活性层上以将半导体活性层分为两个露出区域的方式形成保护膜的工序,是在构成多个薄膜晶体管的各半导体活性层上以将半导体活性层分成两个露出区域的方式将保护膜形成为条纹状的工序。

12.根据权利要求11所述的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,使用印刷法将所述保护层形成为条纹状。

13.根据权利要求10所述的有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,在所述半导体活性层上以将半导体活性层分为两个露出区域的方式形成保护膜的工序,是在半导体活性层上形成分别将该半导体活性层分割成两个露出区域并且划分像素的格子状的遮光性保护膜的工序。

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