[发明专利]氮化物系半导体发光元件、照明装置、液晶显示装置以及照明装置的制造方法无效
申请号: | 201080042883.2 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102648535A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 横川俊哉;井上彰;藤金正树;大屋满明;山田笃志;矢野正 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;G02F1/13357 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化物 半导体 发光 元件 照明 装置 液晶 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种照明装置,是至少具备第一氮化物系半导体发光元件以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置,
上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片,
上述半导体芯片包括由AlxInyGazN半导体形成的氮化物系半导体层叠构造,上述氮化物系半导体层叠构造包括由氮化物半导体层构成的活性层区域,其中,x+y+z=1,x≥0,y≥0,z≥0,
上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度,上述活性层区域中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下,
上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件分别从上述活性层区域射出偏振光,
在设上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长分别为λ1以及λ2,设上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片的厚度分别为d1以及d2时,满足如下关系:
λ1<λ2且d1<d2。
2.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
上述活性层区域向c轴方向或a轴方向倾斜。
3.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
该照明装置还包括具备上述半导体芯片的第三氮化物系半导体发光元件,
在设上述第三氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ3,设上述第三氮化物系半导体发光元件的半导体芯片的厚度为d3时,满足如下关系:
λ1<λ2<λ3且d1<d2<d3。
4.根据权利要求3所述的照明装置,其中,
上述第一氮化物半导体发光元件、上述第二氮化物半导体发光元件、以及上述第三氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的偏振方向统一成同一方向。
5.根据权利要求3所述的照明装置,其中,
该照明装置还具有支撑基板,
上述第一氮化物系半导体发光元件、上述第二氮化物系半导体发光元件、以及上述第三氮化物系半导体发光元件被支持在上述支撑基板上。
6.根据权利要求3所述的照明装置,其中,
上述λ1、λ2、以及λ3分别是蓝色区域、绿色区域、以及红色区域的波长。
7.根据权利要求6所述的照明装置,其中,
上述λ1、λ2、以及λ3分别为420nm以上且470nm以下、520nm以上且560nm以下、以及590nm以上且660nm以下。
8.根据权利要求3所述的照明装置,其中,
上述d1、d2、以及d3分别为110μm以上且150μm以下、200μm以上且240μm以下、以及250μm以上且290μm以下。
9.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
该照明装置还包括:
AlGaInP系发光元件;和
偏振滤光片,其设置在从上述AlGaInP系发光元件射出的光透过的位置处,
上述λ1以及上述λ2分别是蓝色区域以及绿色区域的波长。
10.根据权利要求9所述的照明装置,其中,
上述d1以及上述d2分别为110μm以上且150μm以下、以及200μm以上且240μm以下。
11.根据权利要求9所述的照明装置,其中,
上述λ1以及上述λ2分别为420nm以上且470nm以下、以及520nm以上且560nm以下。
12.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件各自具有设置在上述氮化物系半导体层叠构造的一部分的由Mg或Mg合金形成的p型电极。
13.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
该照明装置还包括一对光学透镜,该一对光学透镜分别对从上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光进行聚光。
14.根据权利要求1所述的照明装置,其中,
该照明装置还包括光学透镜,该光学透镜公共地对从上述第一氮化物系半导体发光元件以及上述第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光进行聚光。
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