[发明专利]用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点

权利要求书

1.一种设备，其包含：

衬底；

III族氮化物层，其位于所述衬底上；及

电触点，其位于所述III族氮化物层上，所述电触点包含具有多个导电材料层的堆叠，所述堆叠中的所述层中的至少一者包含锗。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述堆叠中的所述层包括接触层，所述接触层包含铝铜。

3.根据权利要求2所述的设备，其中：

所述接触层具有在约0.5％与约1.0％之间的铜含量，且

所述接触层具有在约100nm与约150nm之间的厚度。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述堆叠包含：

钛或钛合金层；

铝或铝合金层；及

锗或锗合金层。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述堆叠中的所述层中的至少一者包含具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述III族氮化物层包含缓冲层及至少一个势垒层，所述缓冲及势垒层包含III族氮化物外延层。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述电触点包含多个电触点中的一者；且

所述设备进一步包含所述电触点之间的栅极触点。

8.一种系统，其包含：

半导体结构，其包含衬底及所述衬底上的III族氮化物层；

III族氮化物集成电路装置，其在所述III族氮化物层中或上；及

多个电触点，其与所述III族氮化物集成电路装置电连接，每一电触点包含具有多个导电材料层的堆叠，所述堆叠中的所述层中的至少一者包含锗。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述III族氮化物集成电路装置包含III族氮化物高电子迁移率晶体管HEMT。

10.根据权利要求8所述的系统，其中所述堆叠中的所述层包括接触层，所述接触层包含铝铜。

11.根据权利要求10所述的系统，其中：

所述接触层具有在约0.5％与1.0％之间的铜含量；且

所述接触层具有在约100nm与约150nm之间的厚度。

12.根据权利要求8所述的系统，其中所述堆叠包含：

钛或钛合金层；

铝或铝合金层；及

锗或锗合金层。

13.根据权利要求8所述的系统，其中所述堆叠中的所述层中的至少一者包含具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。

14.根据权利要求8所述的系统，其中所述III族氮化物层包含缓冲层及至少一个势垒层，所述缓冲及势垒层包含III族氮化物外延层。

15.根据权利要求8所述的系统，其中所述III族氮化物集成电路装置进一步包含所述电触点之间的栅极触点。

16.一种方法，其包含：

在衬底上形成III族氮化物层；及

在所述III族氮化物层上形成电触点，所述电触点包含具有多个导电材料层的堆叠，所述堆叠中的所述层中的至少一者包含锗。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含：

使用所述III族氮化物层形成III族氮化物集成电路装置，所述电触点与所述III族氮化物集成电路装置电连接。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述堆叠中的所述层包括接触层，所述接触层包含铝铜。

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

所述接触层具有在约0.5％与1.0％之间的铜含量；且

所述接触层具有在约100nm与约150nm之间的厚度。

20.根据权利要求16所述的方法，其中所述堆叠中的所述层中的至少一者包含具有在约1％与约5％之间的锗含量的铝或钛合金。