[发明专利]高速整流器电路

权利要求书

1.一种整流器电路，包括：

耗尽模式半导体，其具有连接到所述整流器电路的整流信号输出节点的输出端；

热载流子半导体二极管，其具有连接到所述耗尽模式半导体的源极节点的阴极以及连接到所述耗尽模式半导体的栅极节点的阳极；以及

交流(AC)输入节点，其连接到所述热载流子半导体二极管的阳极和所述耗尽模式半导体的栅极节点，并且被配置成接收AC输入信号。

2.根据权利要求1所述的整流器电路，

其中，响应于所述AC输入信号的第一半周期，所述热载流子半导体二极管被正向偏置，以使施加在所述耗尽模式半导体的源极节点的电压和施加在所述耗尽模式半导体的栅极节点的电压微微不同，其使所述耗尽模式半导体正向偏置，并且

其中，响应于所述AC输入信号的第二半周期，所述热载流子半导体二极管被反向偏置，以使所述耗尽模式半导体的源极节点相对于所述耗尽模式半导体的栅极节点浮置，其在所述耗尽模式半导体在所述AC输入信号的至少第一半周期期间生成通过所述整流信号输出节点的整流输出信号时，反向偏置所述耗尽模式半导体。

3.根据权利要求1所述的整流器电路，其中，所述热载流子半导体二极管包括肖特基二极管。

4.根据权利要求1所述的整流器电路，其中，所述耗尽模式半导体包括高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述高电子迁移率晶体管结合有作为导通通道的至少一个异质结。

5.根据权利要求1所述的整流器电路，其中，所述热载流子半导体二极管包括硅肖特基二极管。

6.根据权利要求1所述的整流器电路，其中，所述耗尽模式半导体包括GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。

7.根据权利要求1所述的整流器电路，

其中，所述热载流子半导体二极管包括硅肖特基二极管，

其中，所述耗尽模式半导体包括GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，并且

其中，当所述AC输入信号的第一半周期被施加到所述AC输入节点时，所述AC输入节点与所述整流信号输出节点之间的电压降包括肖特基二极管正向偏置压降与由于所述GaN HEMT的源极到漏极的电阻导致的电压降之和。

8.一种反向导通栅-阴放大器开关，包括：

耗尽模式半导体，其具有连接到所述开关的漏极节点的漏极节点；

热载流子半导体二极管，其具有连接到所述耗尽模式半导体的源极输入端的阴极、以及连接到所述耗尽模式半导体的栅极节点并连接到所述开关的源极节点的阳极；

反向晶体管，其响应于在所述反向晶体管处接收的切换信号选择性地提供所述耗尽模式半导体的源极节点与所述耗尽模式半导体的栅极节点之间的导通连接；以及

所述开关的源极节点，所述源极节点连接到所述热载流子半导体二极管的阳极、所述耗尽模式半导体的栅极节点及所述反向晶体管的输出端子。

9.根据权利要求8所述的开关，

其中，响应于所述AC输入信号的第一半周期，所述热载流子半导体二极管被正向偏置，以使施加在所述耗尽模式半导体的源极节点的电压和施加在所述耗尽模式半导体的栅极节点的电压微微不同，其使得所述耗尽模式半导体饱和，并且

其中，响应于所述AC输入信号的第二半周期和在所述反向晶体管处接收的切换信号，所述反向晶体管饱和使施加在所述耗尽模式半导体的源极节点的电压和施加在所述耗尽模式半导体的栅极节点的电压微微不同，其使得所述耗尽模式半导体饱和并允许通过所述反向晶体管从所述开关的漏极节点到所述开关的源极节点的反向导通。

10.根据权利要求8所述的开关，其中，所述热载流子半导体二极管包括肖特基二极管。

11.根据权利要求8所述的开关，其中，所述耗尽模式半导体包括高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述高电子迁移率晶体管结合有作为导通通道的至少一个异质结。

12.根据权利要求8所述的开关，其中，所述热载流子半导体二极管包括硅肖特基二极管。

13.根据权利要求8所述的开关，其中，所述耗尽模式半导体包括GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。