[发明专利]莫来石陶瓷及其制造方法

权利要求书

1.一种莫来石陶瓷，其特征在于，在研磨截面中，含有长宽比为1以上且2以下的莫来石的球状粒子及长宽比为超过2且10以下的莫来石的针状粒子，并且针状粒子的平均长径为球状粒子的平均粒径的2～10倍，针状粒子/全部粒子的面积的比为0.03～0.3。

2.如权利要求1所述的莫来石陶瓷，其中，研磨截面中的长宽比超过10的粗大针状粒子的面积/全部粒子的面积的比为0.2以下。

3.如权利要求1或2所述的莫来石陶瓷，其中，表观气孔率为5～27％。

4.如权利要求1～3中任一项所述的莫来石陶瓷，其中，在研磨截面中，具有针状粒子的平均长径的5倍以上的长径的粗大气孔的面积的总和相对于观察视野的面积的比例为0.07以下。

5.一种莫来石陶瓷的制造方法，其特征在于，其为权利要求1所述的莫来石陶瓷的制造方法，该方法包括以下工序：

在含氧气氛下、在1700～1800℃下，使包含氧化铝、二氧化硅、及平均粒径为0.1～10μm的Si或含Si化合物的原料反应烧结，生成莫来石，其中，所述含Si化合物不包括二氧化硅及硅酸盐，

将烧成中的900～1700℃间的平均升温速度设定为25～300℃/小时。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中，含Si非氧化物化合物为SiC、Si₃N₄、Si₂ON₂或赛隆。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，其中，通过湿式混合将氧化铝、二氧化硅、及平均粒径为0.1～10μm的Si或含Si化合物浆料化，在将所得到的浆料浇铸成型、或者将该浆料喷雾干燥并将所得到的颗粒冲压成型或CIP成型后进行反应烧成，其中，所述含Si化合物不包括二氧化硅及硅酸盐。

8.如权利要求5或6所述的制造方法，其中，通过半湿式将氧化铝、二氧化硅、及平均粒径为0.1～10μm的Si或含Si化合物混炼，在将所得到的混炼物可塑成型后进行反应烧成，其中，所述含Si化合物不包括二氧化硅及硅酸盐。