[发明专利]叠层体的制造方法

权利要求书

1.一种叠层体的制造方法，是利用有机金属气相生长法，制造在蓝宝石基板上叠层满足Al_XGa_YIn_ZN表示的组成的III族氮化物构成的单晶层的叠层体的制造方法，其中，X、Y、以及Z分别为满足0.9≤X≤1.0、0.0≤Y≤0.1、0.0≤Z≤0.1的有理数，X+Y+Z＝1.0，其中，包含下述工序，即

与使该III族氮化物单晶生长用的原料气体、即III族原料气体、以及氮源气体一起，将氧源气体向蓝宝石基板上提供，以此使含氧浓度为1×10²⁰cm^-3以上5×10²¹cm^-3以下的，满足所述组成的III族氮化物构成的初期单晶层在该蓝宝石基板上生长15nm以上40nm以下厚度的第一生长工序、以及

向该初期单晶层上提供该原料气体，而不提供氧源气体，或提供该原料气体，同时提供比第一生长工序少的供给量的氧源气体，使比初期单晶层氧浓度低的，满足所述组成的III族氮化物构成的第二III族氮化物单晶层生长的第二生长工序。

2.一种叠层体，是在蓝宝石基板上叠层满足用Al_XGa_YIn_ZN表示的组成的III族氮化物构成的单晶层的叠层体，其中，X、Y、以及Z分别为满足0.9≤X≤1.0、0.0≤Y≤0.1、0.0≤Z≤0.1的有理数，X+Y+Z＝1.0)，其中，

在蓝宝石基板上叠层含氧浓度为1×10²⁰cm^-3以上5×10²¹cm^-3以下，厚度为15nm以上40nm以下的，满足所述组成的III族氮化物构成的初期单晶层，而且在该初期单晶层上叠层比初期单晶层氧浓度低的，满足所述组成的III族氮化物构成的第二III族氮化物单晶层。

3.根据权利要求2所述的叠层体，其中，所述第二III族氮化物单晶层的表面是III族氮化物极性面。

4.一种半导体器件，其中，具有权利要求2或3所述的叠层体。