[发明专利]反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法

权利要求书

1.一种用于极紫外波长范围的反射光学元件，所述反射光学元件具有反射表面，其中所述反射表面(59)具有多层镀膜，所述多层镀膜包括由氟化金属构成的顶端层(56)，其特征在于所述氟化金属从以下组中选择：氟化镧、氟化铝、冰晶石以及锥冰晶石。

2.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述多层镀膜在所述顶端层(56)下方具有中间层(58)，所述中间层(58)由选自以下的组的至少一种材料构成，所述组包括：钼、钌、贵金属、硅、氧化硅、氮化硅、碳化硼、氮化硼、碳化合物以及它们的组合。

3.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述多层镀膜在所述顶端层(56)下方具有阻挡层(57)，所述阻挡层(57)由选自以下的组的至少一种材料构成，所述组包括：碳化硅、氧化硅、碳化硼、碳、以及碳化物，尤其是碳化硼。

4.如权利要求2或3所述的反射光学元件，其特征在于所述顶端层(56)下方的所述中间层(58)或者所述阻挡层(57)具有大约0.1nm到5nm范围的厚度。

5.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述反射表面(59)的所述多层镀膜包括多层系统(51)，所述多层系统(51)基于交替的硅和钼层(55，54)或者交替的硅和钌层(55，54)。

6.如权利要求1所述的反射光学元件，其特征在于所述顶端层(56)具有大约0.1nm到2.5nm范围的厚度。

7.一种用于操作EUV光刻设备的方法，所述EUV光刻设备包括具有反射表面的反射光学元件，包括以下步骤：

-提供至少一个根据权利要求1到6中任一项的具有反射表面的反射光学元件，以及

-添加至少一种清洁气体，所述清洁气体选自包括以下的组：原子氢、分子氢、全氟化烷烃、氧、氮、氩、氪和氦。

8.如权利要求7所述的用于操作EUV光刻设备的方法，还包括另一步骤：

-以极紫外波长范围中的辐射的形式和/或通过激发等离子体，提供用于激活清洁气体的能量。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于设置所述清洁气体的添加，使得所述反射光学元件的由氟化物构成的所述顶端层(56)的层厚度保持基本恒定。

10.如权利要求7到9中的任一项所述的方法，其特征在于在所述反射表面上尽可能均匀地添加所述清洁气体。

11.一种EUV光刻设备，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。

12.一种照明系统，尤其是用于EUV光刻设备中的照明系统，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。

13.一种投射系统，尤其是用于EUV光刻设备中的投射系统，包括如权利要求1到6中的任一项所述的反射光学元件。