[发明专利]制造碳化硅晶体的方法以及碳化硅晶体无效
| 申请号： | 201080043770.4 | 申请日： | 2010-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102575383A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 晶体 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过升华来制造碳化硅晶体(10)的方法，其中用于生长所述碳化硅晶体(10)的气氛气体包含氦气。
2.根据权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中所述气氛气体还含有氮气。
3.根据权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中所述气氛气体还含有选自氖气、氩气、氪气、氙气和氡气中的至少一种气体。
4.根据权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中氦气在所述气氛气体中的分压为40％以上。
5.根据权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中用于生长所述碳化硅晶体(10)的气氛的压力为300托以下。
6.根据权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中通过电阻加热法来生长所述碳化硅晶体(10)。
7.根据权利要求6的制造碳化硅晶体(10)的方法，其中使用由石墨制成的加热器，通过所述电阻加热法来生长所述碳化硅晶体(10)。
8.一种碳化硅晶体(10)，其通过权利要求1的制造碳化硅晶体(10)的方法制得，其中所述碳化硅晶体(10)是单晶。
9.根据权利要求8的碳化硅晶体(10)，其中晶体的多晶型物是4H-SiC。
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