[发明专利]基于在浅沟槽隔离(STI)边缘局部引入的注入种类的场效应晶体管的漏电流控制

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体装置的半导体材料(202)中形成隔离沟槽(203T)，该隔离沟槽(203T)具有侧壁(203S)，其连接该半导体装置的存储器单元的第一晶体管的主动区(202C)，该侧壁(203S)沿长度方向界定该主动区(202C)；

透过该侧壁(203S)的至少其中部分向该主动区(202C)的部分引入注入种类，该注入种类自该侧壁(203S)向该主动区(202C)内沿该长度方向延伸特定距离；

引入该注入种类后，利用绝缘材料填充该隔离沟槽(203T)，以形成隔离结构(203)；

在该主动区(202C)之中及其上方形成该第一晶体管；

在该隔离结构(203)上方形成该存储器单元的第二晶体管的栅极电极(210A)的部分；

形成介电材料(220)以包围该第一晶体管及该第二晶体管；以及

在该介电材料(220)中形成接触组件(221B)，该接触组件(221B)连接该主动区(202C)与该第二晶体管的该栅极电极(210A)的该部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中，引入该注入种类包括利用离子束执行注入工艺，该粒子束具有平行于该长度方向的第一方位以及与该主动区的表面呈非零角度的第二方位。

3.如权利要求1所述的方法，其中，引入该注入种类进一步包括将该注入种类沿深度方向的延伸限制为小于该第一晶体管的阱区的延伸。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括透过形成于该半导体材料(202)上的两个或多个绝缘层形成该隔离沟槽(203)，以及利用该两个或多个绝缘层作为注入掩模以阻止该注入种类纳入该主动区(202C)的表面。

5.如权利要求1所述的方法，其中，引入该注入种类包括引入蚀刻速率降低种类，其使邻近该侧壁的该主动区的部分的抗蚀刻性增加。

6.如权利要求9所述的方法，其中，该蚀刻速率降低种类包括氧、氮以及碳的至少其中一者。

7.一种方法，包括：

在半导体材料(202)中以及形成于该半导体材料(202)上的绝缘材料中形成隔离沟槽(203T)，该隔离沟槽(203T)横向界定一个或多个P沟道晶体管(200P)的第一主动区(202C)以及一个或多个N沟道晶体管(200N)的第二主动区(202A)，该隔离沟槽(203T)具有侧壁(203S)，其连接该第一主动区(202C)的部分；

形成掩模以暴露该第一主动区(202C)及至少该侧壁(203S)，并覆盖该第二主动区(202A)及该隔离沟槽(203T)的部分；

基于非零倾斜角度执行注入工艺并利用该掩模及该绝缘材料作为注入掩模，以透过该侧壁(203S)向该第一主动区(202C)中注入种类；

利用绝缘材料填充该隔离沟槽(203T)，以形成隔离结构(203)；

在该第一主动区(202C)之中及其上方形成该一个或多个P沟道晶体管(200P)，以及在该第二主动区(202A)之中及其上方形成该一个或多个N沟道晶体管(200N)；以及

形成接触组件(221B)以连接该第一主动区(202C)与该一个或多个N沟道晶体管的至少其中一者的栅极电极(210A)。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该种类经选择以局部降低该第一主动区的电导率。

9.如权利要求7所述的方法，其中，该种类经选择以局部改变该主动区及该隔离结构的至少其中一者的抗蚀刻性。

10.如权利要求7所述的方法，其中，以基本平行于该第一主动区的长度方向执行该注入工艺。

11.如权利要求7所述的方法，进一步包括在该半导体材料中形成阱区以垂直界定该第一主动区，以及其中，该阱区的深度大于由该种类定义的注入区域的深度。

12.如权利要求7所述的方法，进一步包括在该半导体材料中形成阱区以垂直界定该第一主动区，以及其中，该阱区的深度小于由该种类定义的注入区域的深度。