[发明专利]半导体器件、其制造方法及其制造装置

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极；

在所述栅电极的侧表面上形成绝缘膜；和

将氧等离子体暴露到所述基板的所述表面上，所述基板的所述表面附近的氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述绝缘膜是偏置间隔物。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中在所述偏置间隔物上形成侧壁间隔物。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述绝缘膜是侧壁间隔物。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中使用通过用径向线缝隙天线所产生的表面波微波等离子体来进行暴露所述氧等离子体的工序。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中进行具有约100毫托或更大压力的所述氧等离子体的冲洗。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中偏置间隔物和侧壁间隔物中的至少一个在处理室中形成，并且其中在所述处理室中对所述氧等离子体进行冲洗。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中将所述氧等离子体冲洗到其下的基板包含Si的表面上。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中距离所述基板的所述表面20mm处的所述氧等离子体的电子温度为约1.0eV至约1.5eV。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中距离所述基板的所述表面20mm处的所述氧等离子体的电子温度为约1.0eV至约1.2eV。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述基板放置在基座上，在对所述氧等离子体进行冲洗时所述基座的温度为约20摄氏度至约30摄氏度。

12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中产生等离子体的微波功率为约2000W至约3000W。

13.一种半导体器件，包括：

具有源极区域和漏极区域的半导体基板；

隔着栅极绝缘膜形成于所述半导体基板的表面上的栅电极；

形成于所述栅电极的侧表面上的绝缘膜；和

所述源极区域和所述漏极区域上的基本上不包含氧化部分的表面区域。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述氧化部分的厚度小于约1nm。

15.一种用于制造半导体器件的装置，所述装置包括：

被配置为隔着栅极绝缘膜在基板的表面上形成栅电极的单元；

被配置为在所述栅电极的侧表面上形成绝缘膜的单元；和

被配置为将氧等离子体暴露至所述基板的所述表面上的单元，所述基板的所述表面附近的所述氧等离子体的电子温度等于或低于约1.5eV。