[发明专利]分散性优异的氧化镁粉末及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201080044407.4 申请日: 2010-10-01
公开(公告)号: CN102712491A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 大崎善久 申请(专利权)人: 达泰豪化学工业株式会社
主分类号: C01F5/08 分类号: C01F5/08;C01F5/22
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 分散性 优异 氧化镁 粉末 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及分散性优异的氧化镁粉末及其制造方法。

背景技术

氧化镁粉末除了利用于耐火材料,还利用于各种添加剂、树脂的填充剂、光学材料、电子部件用途、荧光体原料、各种靶材原料、超传导薄膜(superconducting film)底材用的原料、隧道磁电阻元件(Tunnel Magnetoresistance element,TMR元件)用的隧道阻隔原料、彩色等离子显示器(PDP)用的保护膜原料以及催化剂等,作为具有极其广泛用途的无机材料而受到关注。

专利文献1公开了一种高比表面积氧化镁粉末,其BET比表面积处于230~500m2/g的范围,且其构成颗粒中的80质量%以上的颗粒属于通过筛孔径为0.25mm的筛的颗粒。另外,专利文献1中记载了:为了制造该氧化镁粉末,将氢氧化镁颗粒粉末在300Pa以下的压力下,250~550℃的温度下加热煅烧1~10小时,其中,所述原料氢氧化镁颗粒粉末的BET比表面积处于10~200m2/g的范围,且其构成颗粒中超过20质量%的颗粒属于通过筛孔径为0.25mm的筛的颗粒。

专利文献2公开了:使BET比表面积值为5~150m2/g的氧化镁在干式状态下强制通过筛孔径为70~200μm的丝网,进行破碎,从而制造2次颗粒的累积50%粒径为2μm以下的氧化镁。

专利文献3公开了:通过将氧化镁前体在相对于该前体总量为0.5~30质量%的卤化物离子存在下,在封闭系统中进行煅烧,从而制造立方体形且利用激光衍射散射式粒度分布测定所测得的累积50%粒径(D50)为1.0μm以上的氧化镁粉末。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2007-070219号公报

专利文献2:日本特开平5-286713号公报

专利文献3:日本特开2008-184366号公报

发明内容

发明要解决的问题

将氧化镁粉末用于光学材料、电子材料以及催化剂等用途时,期望达成以下要求。即,氧化镁粉末在光学材料用途的一个例子中,用作液晶显示器的光扩散材料以及LED密封树脂的折射率调节剂。在这样的光学材料用途中,理想的是分散性优异、平均粒径小、热传导性优异的氧化镁粉末。另外,对于电子材料而言,要求的是分散性优异、平均粒径小、不含微小尺寸的颗粒、且高纯度的氧化镁粉末。另外,对于催化剂而言,要求的是分散性优异、不含微小尺寸的颗粒,且显示高反应性的氧化镁粉末。因此,将氧化镁粉末用于光学材料、电子材料以及催化剂等用途时,理想的是分散性优异、平均粒径小、粒径均一、且不含微小尺寸的颗粒。

专利文献1中记载的氧化镁粉末在其制造时未对粒度分布进行控制。因此,该氧化镁粉末中会包含亚微米以下的微粒,将该氧化镁粉末配混到树脂等材料中时,易凝聚、容易生成较大的凝聚块。进而该氧化镁粉末中也会变得含有粗大的颗粒。因此,专利文献1中记载的氧化镁粉末在其分散性上存在问题。

使用专利文献2中记载的氧化镁粉末的制造方法进行破碎处理而得到的氧化镁粉末虽然在提升分散性方面具有一定的效果,但其粒径不均一。因此,将专利文献2中记载的氧化镁粉末用于形成电子材料的薄膜等时,存在膜厚变得不均一的可能性。另外,将该氧化镁粉末用于光学材料的光扩散材料等时,存在扩散效率低等问题。

利用专利文献3中记载的氧化镁粉末的制造方法而得到的氧化镁粉末的分散性优异,但存在粉末的比表面积低、反应性差的问题。因此,将专利文献3中记载的氧化镁粉末用于催化剂等时,存在无法得到充分的反应性等问题。

因此,本发明的目的在于得到分散性优异、平均粒径小、粒径均一、且不含微小尺寸的颗粒的氧化镁粉末及其制造方法。

用于解决问题的方案

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