[发明专利]太阳能电池设备及其制造方法无效
申请号: | 201080044427.1 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN102576760A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 成命锡 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池设备,包括:
衬底;
在所述衬底上的后电极层;
在所述后电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的前电极层,
其中,在所述衬底的轮廓部分中形成凹槽。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述凹槽围绕所述后电极层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述衬底包括:
被限定在中间部分的电池区域;以及
被限定为围绕所述电池区域的边缘区域,
其中,
所述后电极层被布置在所述电池区域中;并且
所述凹槽形成在所述边缘区域中。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括在所述凹槽中的绝缘层。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括在所述凹槽中的氧化物。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,氧化钛、氧化硅或氧化锌被布置在所述凹槽中。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括在所述凹槽和所述衬底的侧面之间的虚设结构。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,所述虚设结构包括由与所述后电极层的材料相同的材料形成的第一虚设层。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,所述虚设结构与所述后电极层隔开。
10.一种太阳能电池设备,包括:
衬底,包括电池区域和围绕所述电池区域的边缘区域;
在所述电池区域中的后电极层;
在所述边缘区域中的绝缘层;
在所述后电极层上的光吸收层;以及
在所述光吸收层上的前电极层。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池设备,其中,所述后电极层和所述绝缘层被布置在相同平面上。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池设备,其中,所述后电极层和所述绝缘层直接接触所述衬底的上侧。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池设备,其中,所述绝缘层围绕所述后电极层。
14.根据权利要求10所述的太阳能电池设备,其中,所述后电极层、所述光吸收层和所述前电极层的轮廓与所述电池区域的轮廓相对应。
15.一种太阳能电池设备的制造方法,包括:
在衬底上形成牺牲成层;
在所述衬底和所述牺牲层上形成后电极层;
在所述后电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成前电极层;以及
去除所述牺牲层的一部分或全部、所述后电极层的轮廓部分、所述光吸收层的轮廓部分以及所述前电极层的轮廓部分。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,
所述衬底包括电池区域和围绕所述电池区域的边缘区域;
在所述边缘区域中形成凹槽;以及
在所述凹槽中形成所述牺牲层。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述牺牲层具有闭合环形状。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述牺牲层包括氧化物。
19.根据权利要求15所述的方法,其中,通过机械方法同时去除所述牺牲层的所述一部分或全部、所述后电极层的所述轮廓部分、所述光吸收层的所述轮廓部分以及所述前电极层的所述轮廓部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的