[发明专利]铜离子改性的氧化钛及其制造方法和光催化剂

权利要求书

1.铜离子改性的氧化钛，其包含表面被铜离子改性的氧化钛，并含有板钛矿型晶体。

2.根据权利要求1的铜离子改性的氧化钛，其中在通过使用Cu-Kα1射线的粉末X射线衍射测得的点阵间距中，至少在的范围内检出衍射线。

3.根据权利要求1的铜离子改性的氧化钛，其中通过使用10质量％的氧化镍作为内标物的里特维尔德分析法测量，板钛矿型晶体在所述铜离子改性的氧化钛中的含量不小于14质量％且不大于60质量％。

4.根据权利要求1的铜离子改性的氧化钛，其中板钛矿型晶体具有由谢乐公式计算的24纳米或更小的微晶尺寸。

5.根据权利要求1的铜离子改性的氧化钛，其中所述铜离子衍生自氯化铜(II)。

6.根据权利要求1的铜离子改性的氧化钛，其中以金属铜计，氧化钛被铜离子以0.05至0.3质量％的量改性。

7.制造铜离子改性的氧化钛的方法，包括：

使能够生成氧化钛的钛化合物在反应溶液中水解的水解步骤；和

将水解后获得的溶液与含有铜离子的水溶液混合从而用铜离子将氧化钛的表面改性的表面改性步骤。

8.根据权利要求7的制造铜离子改性的氧化钛的方法，其中所述钛化合物是四氯化钛或三氯化钛。

9.根据权利要求7的制造铜离子改性的氧化钛的方法，其中所述反应溶液在水解时的温度不低于70℃且不高于该反应溶液的沸点。

10.根据权利要求7的制造铜离子改性的氧化钛的方法，其中在水解时用氧或臭氧将所述反应溶液鼓泡。

11.根据权利要求7的制造铜离子改性的氧化钛的方法，其中在表面改性步骤中，将用于表面改性的温度控制在80至95℃的范围。

12.通过如权利要求7中所述的方法制成的铜离子改性的氧化钛。

13.光催化剂，其以70质量％或更多的量包含如权利要求1或12中所述的铜离子改性的氧化钛。