[发明专利]蓄电器件用负极活性物质及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080044505.8 申请日: 2010-10-21
公开(公告)号: CN102549816A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 山内英郎;永金知浩;坂本明彦;境哲男;邹美靓 申请(专利权)人: 日本电气硝子株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
主分类号: H01M4/1391 分类号: H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 器件 负极 活性 物质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

以氧化物换算的摩尔%表示,含有SnO为70~95%、P2O5为5~30%的组成,其中不包括SnO为70%、P2O5为30%的组成。

2.如权利要求1所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

实质上由非晶质构成。

3.一种蓄电器件用负极材料,其中,

含有权利要求1或2所述的蓄电器件用负极活性物质。

4.一种蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,

用于制造权利要求1或2所述的蓄电器件用负极活性物质,将原料粉末在还原气氛或惰性气氛中熔融而玻璃化。

5.如权利要求4所述的蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,

原料粉末为含有磷和锡的复合氧化物。

6.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

是至少含有SnO和P2O5的蓄电器件用负极活性物质,

在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形中,在2θ值为10~45°处具有非晶晕环,在该范围内以2θ值固定于22.5°的峰成分P1和比22.5°更靠近高角度侧的峰成分P2两种成分进行曲线拟合时,P2的峰顶点的位置位于2θ值为25.0~29.0°处。

7.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

是至少含有SnO和P2O5的蓄电器件用负极活性物质,

在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形中,在2θ值为10~45°处具有非晶晕环,在该范围内以2θ值固定于22.5°的峰成分P1和比22.5°更靠近高角度侧的峰成分P2两种成分进行曲线拟合时,P1的峰面积A1与P2的峰面积A2满足A1/A2=0.01~8的关系。

8.如权利要求6或7所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

以摩尔%计,含有SnO 45~95%、P2O5 5~55%的组成。

9.如权利要求6至8中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

实质上为非晶质。

10.一种蓄电器件用负极材料,其中,

含有权利要求6至9中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质。

11.一种蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,

用于制造权利要求6至9中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质,将原料粉末在还原气氛或惰性气氛中熔融而玻璃化。

12.如权利要求11所述的蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,

原料粉末为含有磷和锡的复合氧化物。

13.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

是用于至少具备负极和正极的蓄电器件的蓄电器件用负极活性物质,充电结束时,在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形的2θ值30~50°的范围和/或2θ值10~30°的范围内检测到的衍射峰的半宽度为0.5°以上。

14.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

是用于至少包括负极和正极的蓄电器件的蓄电器件用负极活性物质,放电结束时,在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形的2θ值15~40°的范围内检测到的衍射峰的半宽度为0.1°以上。

15.如权利要求13或14所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,

放电结束时,以氧化物换算的摩尔%表示,含有SnO 10~70%、Li2O20~70%、P2O5 2~40%作为组成。

16.一种蓄电器件用负极材料,其中,

含有权利要求13至15中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质。

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