[发明专利]蓄电器件用负极活性物质及其制造方法有效
申请号: | 201080044505.8 | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102549816A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 山内英郎;永金知浩;坂本明彦;境哲男;邹美靓 | 申请(专利权)人: | 日本电气硝子株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01M4/1391 | 分类号: | H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 负极 活性 物质 及其 制造 方法 | ||
1.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
以氧化物换算的摩尔%表示,含有SnO为70~95%、P2O5为5~30%的组成,其中不包括SnO为70%、P2O5为30%的组成。
2.如权利要求1所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
实质上由非晶质构成。
3.一种蓄电器件用负极材料,其中,
含有权利要求1或2所述的蓄电器件用负极活性物质。
4.一种蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,
用于制造权利要求1或2所述的蓄电器件用负极活性物质,将原料粉末在还原气氛或惰性气氛中熔融而玻璃化。
5.如权利要求4所述的蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,
原料粉末为含有磷和锡的复合氧化物。
6.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
是至少含有SnO和P2O5的蓄电器件用负极活性物质,
在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形中,在2θ值为10~45°处具有非晶晕环,在该范围内以2θ值固定于22.5°的峰成分P1和比22.5°更靠近高角度侧的峰成分P2两种成分进行曲线拟合时,P2的峰顶点的位置位于2θ值为25.0~29.0°处。
7.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
是至少含有SnO和P2O5的蓄电器件用负极活性物质,
在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形中,在2θ值为10~45°处具有非晶晕环,在该范围内以2θ值固定于22.5°的峰成分P1和比22.5°更靠近高角度侧的峰成分P2两种成分进行曲线拟合时,P1的峰面积A1与P2的峰面积A2满足A1/A2=0.01~8的关系。
8.如权利要求6或7所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
以摩尔%计,含有SnO 45~95%、P2O5 5~55%的组成。
9.如权利要求6至8中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
实质上为非晶质。
10.一种蓄电器件用负极材料,其中,
含有权利要求6至9中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质。
11.一种蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,
用于制造权利要求6至9中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质,将原料粉末在还原气氛或惰性气氛中熔融而玻璃化。
12.如权利要求11所述的蓄电器件用负极活性物质的制造方法,其特征在于,
原料粉末为含有磷和锡的复合氧化物。
13.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
是用于至少具备负极和正极的蓄电器件的蓄电器件用负极活性物质,充电结束时,在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形的2θ值30~50°的范围和/或2θ值10~30°的范围内检测到的衍射峰的半宽度为0.5°以上。
14.一种蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
是用于至少包括负极和正极的蓄电器件的蓄电器件用负极活性物质,放电结束时,在通过利用CuKα射线进行的粉末X射线衍射测定而得到的衍射线形的2θ值15~40°的范围内检测到的衍射峰的半宽度为0.1°以上。
15.如权利要求13或14所述的蓄电器件用负极活性物质,其特征在于,
放电结束时,以氧化物换算的摩尔%表示,含有SnO 10~70%、Li2O20~70%、P2O5 2~40%作为组成。
16.一种蓄电器件用负极材料,其中,
含有权利要求13至15中任一项所述的蓄电器件用负极活性物质。
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