[发明专利]催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体有效
申请号: | 201080044569.8 | 申请日: | 2010-10-01 |
公开(公告)号: | CN102575343A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 岛正树;若宫要范;大园修司;冈山智彦;小形英之 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社;株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/24;H01L21/205 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 催化 cvd 装置 形成 方法 太阳能电池 制造 基材 保持 | ||
1.一种催化CVD装置,其特征在于:
其对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体,使所生成的分解产物沉积于在所述反应室内由保持体所保持的被成膜基材上,进行成膜,
所述保持体具有用于防止从所述催化剂丝放出的辐射线反射的防反射结构。
2.如权利要求1所述的催化CVD装置,其特征在于:
所述防反射结构包含防反射膜。
3.如权利要求2所述的催化CVD装置,其特征在于:
所述防反射膜包含含硅膜。
4.如权利要求3所述的催化CVD装置,其特征在于:
所述含硅膜具有非晶结构和结晶结构中的至少任意1种结构。
5.如权利要求2所述的催化CVD装置,其特征在于:
所述防反射膜包含混合晶膜。
6.如权利要求1~4中任一项所述的催化CVD装置,其特征在于:
所述防反射结构具有与所述被成膜基材相对设置的凹凸结构。
7.一种催化CVD装置,其特征在于:
其对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体,使所生成的分解产物沉积在所述反应室内由保持体所保持的被成膜基材上,进行成膜,
所述保持体具有在保持所述被成膜基材的保持面上所形成的含硅膜。
8.一种膜的形成方法,其特征在于:
其包括使膜沉积在被成膜基材上,进行成膜的工序,
使用权利要求1~6中任一项所述的催化CVD装置进行所述膜的成膜。
9.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于:
其包括使膜沉积在被成膜基材上,进行成膜的工序,
使用权利要求1~6中任一项所述的催化CVD装置进行所述膜的成膜。
10.一种基材的保持体,其特征在于:
其用于对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体,使所生成的分解产物沉积在所述反应室内由保持体所保持的被成膜基材上,进行成膜,
所述保持体具有用于防止从所述催化剂丝放出的辐射线反射的防反射结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;株式会社爱发科,未经三洋电机株式会社;株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的