[发明专利]固态图像拾取装置

权利要求书

1.一种包括像素的固态图像拾取装置，所述像素包括：

光电转换部，被配置为根据入射光产生电荷；

电荷保持部，被配置为包括在与所述光电转换部不同的部分中保持由所述光电转换部产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区；以及

传送部，被配置为包括控制所述电荷保持部与感测节点之间的电势的传送栅极电极，

其中第二导电类型的第二半导体区被布置在所述第一半导体区之下，以便与所述第一半导体区一起形成PN结，并且

其中所述第二半导体区的第二导电类型的杂质浓度比在所述传送栅极电极之下并且处于与所述第二半导体区相同的深度的区域的第二导电类型的杂质浓度高。

2.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中所述感测节点包括浮置扩散部，并且

其中第二导电类型的第三半导体区被布置在比所述第二半导体区更深的位置处，所述第三半导体区在所述第二半导体区的至少部分、所述浮置扩散部以及所述传送栅极电极之下延伸。

3.根据权利要求2所述的固态图像拾取装置，

其中所述光电转换部包括第一导电类型的半导体区以及被布置在所述第一导电类型的半导体区之下并且与所述第一导电类型的半导体区一起形成PN结的第二导电类型的半导体区，

其中所述第三半导体区包括布置在不同的深度处的多个半导体区，并且

其中，在包括在所述第三半导体区内的多个半导体区之中，在底部处的半导体区延伸到其处形成有所述光电转换部的PN结的深度。

4.根据权利要求2所述的固态图像拾取装置，

其中所述第三半导体区的光电转换部侧的端部在与所述第二半导体区的光电转换部侧的端部相比远离光电转换部的位置处，并且

其中构成所述光电转换部的部分的所述第一导电类型的半导体区被布置在所述第二半导体区的至少部分之下。

5.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中所述电荷保持部包括经由绝缘膜布置在所述第一半导体区之上的控制电极，并且

其中杂质浓度比所述第一半导体区高的第二导电类型的第四半导体区被布置在所述控制电极与所述传送栅极电极之间的半导体区的表面上。

6.根据权利要求5所述的固态图像拾取装置，

其中杂质浓度比所述第一半导体区高的第一导电类型的第五半导体区被布置在所述第四半导体区之下。

7.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中所述第二半导体区的杂质浓度的峰值在距离衬底表面比0.5微米浅的位置处。

8.根据权利要求1所述的固态图像拾取装置，

其中所述第一半导体区和所述第二半导体区是通过第一杂质注入步骤和第二杂质注入步骤来形成的，所述第二杂质注入步骤是使用与在所述第一杂质注入步骤中使用的掩模一致的掩模来执行的。

9.一种包括像素的固态图像拾取装置，所述像素包括：

光电转换部，被配置为根据入射光产生电荷；

电荷保持部，被配置为包括在与所述光电转换部不同的部分中保持由所述光电转换部产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区；以及

传送部，被配置为包括控制所述电荷保持部与感测节点之间的电势的传送栅极电极，

其中第二导电类型的第二半导体区被布置在所述第一半导体区之下，并且

其中所述第二半导体区的第二导电类型的杂质浓度比在所述传送栅极电极之下并且处于与所述第二半导体区相同的深度的区域的第二导电类型的杂质浓度高。

10.根据权利要求9所述的固态图像拾取装置，

其中所述感测节点包括浮置扩散部，并且

其中第二导电类型的第三半导体区被布置在比所述第二半导体区更深的位置处，所述第三半导体区在所述第二半导体区的至少部分、所述浮置扩散部以及所述传送栅极电极之下延伸。