[发明专利]抑制二氧化硅和/或硅酸盐化合物在含水系统中沉积的方法

权利要求书

1.抑制二氧化硅和/或硅酸盐化合物在含水系统中的表面上沉积的方法，所述方法包括将聚合物添加到该含水系统中的步骤，该聚合物包含：

(i)至少一种由下式所示的结构单元：

其中R是具有至少2个碳原子的烷基；R¹选自氢原子、烷基、芳基、酯、酰胺和酰亚胺；k是2至4；n为至少约10；和

(ii)至少一种附加结构单元，其包含至少一个选自羰基、磺酸酯基团和磷酸酯基团的基团。

2.抑制二氧化硅和/或硅酸盐化合物在含水系统中的表面上沉积的方法，所述方法包括以下步骤：

在含水系统中提供水；

使该含水系统中的水循环；和

将聚合物引入该水中，该聚合物包含：

(i)至少一种由下式所示的结构单元：

其中R是具有至少2个碳原子的烷基；R¹选自氢原子、烷基、芳基、酯、酰胺和酰亚胺；k是2至4；n为至少约10；和

(ii)至少一种附加结构单元，其含有至少一个选自羰基、磺酸酯基团和磷酸酯基团的基团。

3.权利要求1或2中任一项的方法，其中该含水系统包括反渗透装置。

4.权利要求1至3中任一项的方法，其中在结构单元(i)的至少之一中n为至少60。

5.权利要求4的方法，其中在结构单元(i)的至少之一中n为至少125。

6.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述至少一种结构单元(i)进一步限定为各自由式(I)所示的至少两种不同的结构单元，其中在式(I)所示的结构单元(i-1)的至少之一中n大于约20，和其中在式(I)所示的另外的结构单元(i-2)的至少之一中n大于约60。

7.权利要求6的方法，其中在所述式(I)所示的另外的结构单元(i-2)中的至少之一中n大于约125。

8.权利要求6或7中任一项的方法，其中在所述式(I)所示的至少一种结构单元(i-1)中n大于约60。

9.权利要求6至8中任一项的方法，其中结构单元(i-1)和(i-2)以约1∶5至约5∶1的摩尔比存在。

10.权利要求1至9中任一项的方法，其中所述附加结构单元(ii)进一步由式(II)或其酸酐表示：

其中R²选自氢原子、烷基、芳基和羰基；且R³选自氢原子、烷基、芳基和羟烷基。

11.权利要求10的方法，其中所述附加结构单元(ii)进一步由下式中的至少一个表示：

其中R²选自氢原子、烷基、芳基和羰基；Y选自氢原子、烷基和芳基；Z是羟烷基。

12.权利要求11的方法，其中所述至少一种附加结构单元(ii)进一步限定为选自式(II-1)至(II-4)所示的基团的至少两种不同的附加结构单元。

13.权利要求12的方法，其中所述至少两种不同的附加结构单元以约1∶10至约10∶1的摩尔比存在。

14.权利要求1至13中任一项的方法，其中所述结构单元(i)以基于该聚合物中所有结构单元的总量计的约15至约50的摩尔百分比存在于该聚合物中。

15.权利要求1至14中任一项的方法，其中该聚合物具有约25,000至约45,000克/摩尔的数均分子量。

16.权利要求15的方法，其中该聚合物具有约30,000至约40,000克/摩尔的数均分子量。

17.权利要求1至16中任一项的方法，其中该含水系统包括含水组分，该含水组分包含溶解在其中的二氧化硅和/或硅酸盐。

18.权利要求17的方法，其中所述聚合物以约0.5至约500ppm的量添加到所述含水组分中。

19.权利要求18的方法，其中所述聚合物以约0.8至约350ppm的量添加到所述含水组分中。

20.权利要求19的方法，其中所述聚合物以约1至约100ppm的量添加到所述含水组分中。