[发明专利]利用倾斜蒸镀的光刻方法

权利要求书

1.一种利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，包括：

步骤(a)，在基板上表面涂布抗蚀剂；

步骤(b)，利用光刻工艺使所述抗蚀剂图案化；

步骤(c)，在图案化后的所述抗蚀剂的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成变形的图案掩膜；

步骤(d)，通过所述变形的图案掩膜，在所述基板的上表面蒸镀第二薄膜材料；及

步骤(e)，去除被涂布在所述基板的上表面的抗蚀剂。

2.如权利要求1所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，

在所述步骤(d)和所述步骤(e)之间，还包括：

步骤i)，在被蒸镀在所述抗蚀剂上表面的所述第二薄膜材料的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成再变形的图案掩膜；及

步骤ii)，通过所述再变形的图案掩膜，刻蚀被蒸镀在所述基板上表面的第二薄膜材料。

3.如权利要求2所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，

反复进行所述步骤i)和ii)。

4.一种利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，包括：

步骤(a)，在基板上表面蒸镀第二薄膜材料，并且在所述第二薄膜材料的上表面涂布抗蚀剂；

步骤(b)，利用光刻工艺，使所述抗蚀剂图案化；

步骤(c)，在图案化后的所述抗蚀剂上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成变形的图案掩膜；

步骤(d)，通过所述变形的图案掩膜，刻蚀被蒸镀在所述基板上表面的第二薄膜材料；及

步骤(e)，去除被涂布在所述基板上表面的抗蚀剂。

5.如权利要求4所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，

在所述步骤(d)和所述步骤(e)之间，还包括：

步骤i)，在所述第一薄膜材料的上层倾斜蒸镀第一薄膜材料，形成再变形的图案掩膜；及

步骤ii)，通过所述再变形的图案掩膜，在所述基板上表面蒸镀第二薄膜材料。

6.如权利要求5所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，反复进行所述步骤i)和ii)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，所述基板选自由玻璃、石英、硅、硅氧化物、金属、金属氧化物、塑料及这些物质的混合物所构成的组。

8.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，所述抗蚀剂选自由正型(positive-type)感光树脂、负型(negative-type)感光树脂、热塑性树脂(thermoplastic resin)及热固性树脂(thermosetting resin)所构成的组。

9.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，通过选自由光学光刻、电子束光刻、光学投影光刻、极紫外光刻、X射线光刻、全息及纳米压印光刻工艺所构成的组中的光刻工艺，进行所述步骤(2)中的利用光刻工艺的图案化。

10.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，通过电子束蒸镀法(E-beam evaporation)或热蒸镀法(Thermal evaporation)进行所述倾斜蒸镀。

11.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，所述第一薄膜材料选自由铬、钛、金、银、铂、钯、镍、铝、铜、二氧化钛、二氧化硅、氧化铝及其混合物所构成的组。

12.如权利要求1至6中任一项所述的利用倾斜蒸镀的光刻方法，其特征在于，通过选自由溅射(sputtering)、电子束蒸镀法(E-beam evaporation)、热蒸镀法(Thermal evaporation)、等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)及低压化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)所构成的组中的方法，在所述基板上表面蒸镀第二薄膜材料。