[发明专利]具有改进的漏电感控制的耦合电感器

权利要求书

1.一种M绕组耦合电感器，M为大于1的整数，所述耦合电感器包括：

第一端部磁元件；

第二端部磁元件；

M个连接磁元件，每个连接磁元件设在所述第一和第二端部磁元件之间并且连接所述第一和第二端部磁元件；

M个绕组，每个绕组至少部分地绕所述M个连接磁元件中的相应的一个连接磁元件缠绕；以及

至少一个顶部磁元件，与所述M个连接磁元件中的至少两个连接磁元件相邻并且至少部分在所述至少连接磁元件两个上延伸，以提供用于所述第一和第二端部磁元件之间的磁通量的通路。

2.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件与所述第一端部磁元件隔开第一间隙，所述至少一个顶部磁元件与所述第二端部磁元件隔开第二间隙，所述第一和第二间隙中的每一个包括各自的间隙材料，所述各自的间隙材料具有比形成所述磁元件的一种或多种磁性材料低的导磁率。

3.如权利要求2所述的耦合电感器，每个绕组各自的漏电感值是所述第一间隙的厚度的函数以及所述第二间隙的厚度的函数。

4.如权利要求3所述的耦合电感器，还包括选自胶和非磁性间隔件的非磁性材料，所述非磁性材料将所述至少一个顶部磁元件与所述第一和第二端部磁元件隔开。

5.如权利要求3所述的耦合电感器，所述M个绕组中的至少一个充当所述至少一个顶部磁元件与所述第一和第二端部磁元件之间的间隔件。

6.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件形成包括间隙材料的间隙，所述间隙材料具有比形成所述磁元件的一种或多种磁性材料低的导磁率。

7.如权利要求6所述的耦合电感器，每个绕组各自的漏电感值为所述间隙的厚度的函数。

8.如权利要求7所述的耦合电感器，M是大于2的整数。

9.如权利要求8所述的耦合电感器，所述第一和第二端部磁元件中的至少一个形成与所述至少一个顶部磁元件相邻的开口。

10.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件包括第一和第二顶部磁元件，所述第一和第二顶部磁元件之间形成间隙。

11.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件包括单独的顶部磁元件。

12.如权利要求1所述的耦合电感器，每个绕组均为具有矩形横截面的单层和单匝绕组。

13.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件形成外表面，所述外表面的至少一部分是平坦的。

14.如权利要求1所述的耦合电感器，每个连接磁元件均具有各自的宽度，相邻的连接磁元件之间的分隔距离小于每一相邻的连接磁元件中的各自的宽度的25％。

15.如权利要求1所述的耦合电感器，每个连接磁元件具有各自的宽度，相邻的连接磁元件之间的分隔距离小于每一相邻的连接磁元件中的各自的宽度的10％。

16.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件与所述M个连接磁元件的全部相邻并在之上延伸。

17.如权利要求1所述的耦合电感器，所述至少一个顶部磁元件与所述M个连接磁元件的部分相邻并在之上延伸。

18.如权利要求17所述的耦合电感器，所述第一和第二端部磁元件中的至少一个形成与所述至少一个顶部磁元件相邻的开口。

19.一种M相电源，M为大于1的整数，所述电源包括：

耦合电感器，包括：

第一端部磁元件，

第二端部磁元件，

M个连接磁元件，每个连接磁元件均设在所述第一和第二端部磁元件之间并且连接所述第一和第二端部磁元件，

M个绕组，每个绕组至少部分地绕所述M个连接磁元件的相应的一个连接磁元件缠绕，每个绕组均具有各自的第一端、各自的第二端，每个第一端与公共第一节点电耦合，以及

至少一个顶部磁元件，与所述M个连接磁元件中的至少两个连接磁元件相邻，并且至少部分在所述至少两个连接磁元件上延伸，以提供用于所述第一和第二端部磁元件之间的磁通量的通路；以及

M个切换电路，每个切换电路与相应的绕组的第二端电耦合，且被构造为使所述第二端在至少两个不同的电压之间切换。